射頻離子源RFICP380濺射制備微晶硅薄膜 參考價(jià)：360000
硅薄膜作為薄膜太陽(yáng)能電池的核心材料越來(lái)越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池由于存在轉(zhuǎn)換效率低和由 S-W 效應(yīng)引起的效率衰退等問(wèn)題, 而微晶硅薄膜具有較高電...
考夫曼射頻離子源濺射沉積立方氮化硼薄膜 參考價(jià)：300000
立方氮化硼（cBN）由于具有高超的硬度/ 好的化學(xué)惰性/ 較好的熱穩(wěn)定性/ 高的熱導(dǎo)率/ 在寬波長(zhǎng)范圍內(nèi)(約從 200nm 開始) 有很好的透光性/ 可摻雜為 ...
KRi 射頻離子源應(yīng)用于IBE 離子束蝕刻系統(tǒng) 參考價(jià)：300000
上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸 IBE離子束蝕刻機(jī), 刻蝕均勻性（1 ...
KRi 離子源電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應(yīng)用 參考價(jià)：300000
上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC 系列, 通過(guò)加熱燈絲產(chǎn)生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強(qiáng)設(shè)計(jì)輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過(guò)同時(shí)的或...
KRi 射頻離子源 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用 參考價(jià)：300000
上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼品牌 RF 射頻離子源, 無(wú)需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標(biāo), 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜,...
考夫曼離子源成功用于多靶磁控濺射鍍膜機(jī) 參考價(jià)：面議
某 OEM 廠商為了提高鍍膜機(jī)鍍膜的品質(zhì), 其為客戶搭建的多靶磁控濺射鍍膜機(jī)的濺射源采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380, 清洗源采用 KRI 霍爾...
考夫曼離子源 RFICP220 濺射沉積鈦金屬薄膜 參考價(jià)：360000
上海某大學(xué)研究室在多層鈦膜做微觀結(jié)構(gòu)的研究中采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射沉積鈦薄膜做加熱電路提高器件溫度,從而提高光波導(dǎo)器件中硅材料的...
考夫曼離子源RFICP380鍍制紅外器件ZnS薄膜 參考價(jià)：360000
某半導(dǎo)體廠商為了提高紅外器件 ZnS 薄膜厚度均勻性, 采用KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380輔助磁控濺射沉積設(shè)備鍍制紅外器件 ZnS 薄膜, 并采用動(dòng)...
KRI離子源RFICP140濺射沉積半導(dǎo)體IGZO薄膜 參考價(jià)：360000
河北某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室在研究 IGZO 薄膜的特性試驗(yàn)中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射沉積半導(dǎo)體 IGZO 薄膜.
考夫曼離子源RFICP220濺射沉積ZnNi合金薄膜 參考價(jià)：360000
沈陽(yáng)某大學(xué)課題組采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 射頻磁控濺射沉積方法制備了不同成分的 ZnNi 合金薄膜, 并研究了真空熱處理對(duì)其成分及表...
考夫曼離子源RFICP380制備IFBA芯塊ZrB2涂層 參考價(jià)：360000
某科研機(jī)構(gòu)在 IFBA 芯塊 ZrB2 涂層研究中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380輔助鍍膜設(shè)備濺射沉積 ZrB2 涂層.
KRI 考夫曼射頻離子源RFICP140制備NGZO薄膜 參考價(jià)：360000
上海某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 , 通入氬氣和氮?dú)? 在流量比分別為 25/10、25/20、25/25、25/30 ((mL...
考夫曼射頻離子源RFICP220制備富硅SiNx薄膜 參考價(jià)：360000
云南某實(shí)驗(yàn)室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220射頻磁控濺射沉積方法在不同溫度的 Si（100）襯底和石英襯底上制備了富硅 SiNx 薄膜, 用...
考夫曼離子源濺射多層沉積Nb3Sn超導(dǎo)薄膜 參考價(jià)：360000
國(guó)內(nèi)某大學(xué)采用雙 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140作為濺射源分別濺射沉積鈮和錫, 再經(jīng)過(guò)高溫退火后獲得 Nb3Sn 超導(dǎo)薄膜. 用這種方法所獲得的超導(dǎo)...
考夫曼離子源RFICP380濺射沉積NSN70隔熱膜 參考價(jià)：360000
某機(jī)構(gòu)采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380輔助磁控濺射在柔性基材表面沉積多層 NSN70 隔熱膜, 制備出的 NSN70 隔熱膜具有陽(yáng)光控制功能...
KRI 考夫曼射頻離子源輔助磁控濺射WS2 薄膜 參考價(jià)：360000
河南某大學(xué)研究室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380輔助磁控濺射 WS2 薄膜, 目的研究不同沉積壓力對(duì)磁控濺射 WS2 薄膜微觀結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能...
考夫曼射頻離子源RFICP220制備 YIG 薄膜 參考價(jià)：360000
釔鐵石榴石鐵氧體 (YIG) 是一種在室溫中廣泛應(yīng)用的亞鐵磁性材料, 由于其鐵磁共振線寬窄、電阻率高、高頻損耗小以及具有較高的法拉第旋光效率和較低的傳播損耗, ...
考夫曼離子源RFICP140濺射沉積鋁錳合金薄膜 參考價(jià)：360000
華北某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 輔助磁控濺射沉積的方法在釹鐵硼磁體表面制備了耐腐蝕性良好的鋁錳合金薄膜.
考夫曼離子源輔助濺射沉積MnZn鐵氧體薄膜 參考價(jià)：360000
電子系統(tǒng)在快速發(fā)展, 但是磁性器件二維化而引發(fā)與三維塊材迥異的特性和制備工藝與半導(dǎo)體技術(shù)難以兼容的問(wèn)題仍未能很好的解決. 因此 MnZn鐵氧體作為一種優(yōu)良磁性器...
射頻離子源輔助磁控濺射制TiSiN-Ag薄膜 參考價(jià)：360000
為了研究 Ag 元素對(duì) TiSiN 薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響, 江蘇某大學(xué)課題組采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射法制備了不同 Ag...
考夫曼射頻離子源 RFICP220 濺射沉積 Ir 膜 參考價(jià)：360000
銥 (Ir) 是一種很好的真空紫外反射材料. 在 50100nm 的波長(zhǎng)范圍內(nèi), Ir 膜反射率比此波長(zhǎng)范圍內(nèi)常用材料 Au、Pt 都高, 雖比 Os 膜反射率...
KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積 Ti-B-C 薄膜 參考價(jià)：360000
在常見的高硬度薄膜之中, 由 Ti、B、C 和 N 幾種元素可以形成多種共價(jià)鍵材料, 如 TiB2、TiC、Ti-B-N、Ti-B-C-N 等, 這些物質(zhì)具有優(yōu)...
KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積 ZrAlN 薄膜 參考價(jià)：360000
合金化是提高過(guò)渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。北京某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室在對(duì)硬韌ZrAlN ...
KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜 參考價(jià)：360000
硅薄膜作為薄膜太陽(yáng)能電池的核心材料越來(lái)越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池由于存在轉(zhuǎn)換效率低和由 S-W 效應(yīng)引起的效率衰退等問(wèn)題, 而微晶硅薄膜具有較高電...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
