CACR-HR10BBY75造成了數(shù)據(jù)處理速度和數(shù)據(jù)處理量*的增加，也給數(shù)據(jù)緩存的容量和控制提出較高的要求。在常用的存儲器中，SDRAM具有大容量和高速度的特點(diǎn)，并且價格也比較便宜，在視頻圖像處理中被廣泛的用于圖像緩存。在基于CACR-HR10BBY75的高分辨率視頻圖像處理系統(tǒng)中，不可避免地會涉及到用FPGA實(shí)現(xiàn)SDRAM控制器的方法。但由于SDRAM的操作方式較復(fù)雜，常見的控制器支持的視頻分辨率普遍都不高。在高分辨率的視頻圖像已經(jīng)普及的今天，支持高分辨率的SDRAM控制器的設(shè)計(jì)也已經(jīng)被越來越多的視頻圖像處理人士關(guān)注。本文介紹的這種控制器，采用的是Micron公司的MT48LC4M32B2TG（1M×32×4 banks）SDR SDRAM，在Altera的StratixⅡ系列FPGA EP2S60F1020I4上進(jìn)行的開發(fā)。

　　在此平臺上采用VHDL語言開發(fā)了SDRAM的控制器。

　　該控制器實(shí)現(xiàn)了zui高分辨率為1 600×1 200@60 Hz的視頻流的緩存和圖像翻轉(zhuǎn)的功能。

　　1 CACR-HR10BBY75基本操作

　　SDRAM主要包括初始化、讀/寫操作、刷新、激活、預(yù)充電等操作。以MICRON公司的MT48LC4M32B2TG型號SDRAM為例分別介紹。

　　1.1初始化

　　CACR-HR10BBY75在上電后必須執(zhí)行初始化操作，主要流程為：首先在電源電壓和時鐘穩(wěn)定后，經(jīng)過100μs的延時，執(zhí)行一次空操作；然后進(jìn)行預(yù)充電操作，使所有 BANK都進(jìn)入空閑狀態(tài)；再然后執(zhí)行兩個自動刷新命令；執(zhí)行完自動刷新后進(jìn)入模式設(shè)置狀態(tài)，通過地址總線A［11：0］發(fā)送數(shù)據(jù)來設(shè)置模式寄存器。模式寄存器設(shè)置定義如圖1所示。

　　1.2讀/寫操作

　　首先激活具體的BANK和行；然后發(fā)出讀或?qū)懨?，和所要訪問的起始列。在讀命令發(fā)出后，要等待CAS延遲時間，有效數(shù)據(jù)才會出現(xiàn)在數(shù)據(jù)總線上。在寫命令發(fā)出后，有效數(shù)據(jù)立即出現(xiàn)在數(shù)據(jù)總線上。讀寫命令可分為單個模式和猝發(fā)模式，猝發(fā)模式根據(jù)猝發(fā)長度分為1，2，4，8和全頁模式。猝發(fā)操作可用猝發(fā)終止命令（BURST TERMINATE）結(jié)束。

　　1.3刷新

　　由于CACR-HR10BBY75的內(nèi)部電路特點(diǎn)，必須執(zhí)行刷新命令，以防止數(shù)據(jù)丟失。要求64 ms內(nèi)至少刷新4 096次。

　　1.4激活

　　在讀/寫命令之前都要發(fā)出激活命令，激活特定BANK中的某一行。激活后此行一直處于有效狀態(tài)，直到接收到預(yù)充電命令。

　　1.5預(yù)充電

　　預(yù)充電命令用于關(guān)閉特定BANK中的某一行，或者所有BANK.

　　CACR-HR10BBY75各種操作命令對應(yīng)的SDRAM管腳電平狀態(tài)如表1所示。

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