Yaskawa CACR-HR30UB鎖定汽車應(yīng)用市場的晶片業(yè)者都清楚知道，下一代微控制器（MCU）的戰(zhàn)場是內(nèi)建 40奈米高速存取快閃記憶體的高性能產(chǎn)品；而到目前為止，有兩家主要關(guān)鍵廠商正面臨戰(zhàn)火──瑞薩電子（Renesas）的40奈米快閃記憶體技術(shù)，以及同樣為40奈米的Spansion嵌入式電荷擷?。–harge Trap，eCT）技術(shù)。

　　現(xiàn)今汽車內(nèi)含有數(shù)以百計的 MCU ，Yaskawa CACR-HR30UB以監(jiān)視、處理、控制諸如駕駛、轉(zhuǎn)向、煞車等關(guān)鍵任務(wù)，也提供安全與舒適等功能。對汽車電子控制單元應(yīng)用的MCU來說，具備大容量的內(nèi)建快閃記憶體是很基本的，因為它們必須儲存越來越大量的控制演算法與應(yīng)用程式碼；更重要的是晶片上快閃記憶體的速度，如果太慢，MCU的高速邏輯電路就無法充分發(fā)揮性能。

　　那些打算競逐高性能*MCU市場、卻缺乏自家快閃記憶技術(shù)的供應(yīng)商，通常會面臨幾個問題：該用哪一種快速存取快閃記憶體技術(shù)？誰有那種技術(shù)？哪里有晶圓代工廠？然后他們可能會有另一個問題：如何把這些事情完成，又不卷進Spansion與瑞薩可能發(fā)生的IP大戰(zhàn)？──這兩家公司的嵌入式快閃記憶體IP大戰(zhàn)還沒真的開打，只是煙硝味很濃。

　　先發(fā)制人？

　　Spansion策略聯(lián)盟暨業(yè)務(wù)開發(fā)副總裁Ali Pourkeramati不久前接受訪問時指出，瑞薩的eFlash微控制器技術(shù)有可能侵犯Spansion的eCT技術(shù)；？Spansion？現(xiàn)在把矛頭指向“在未取得共識的情況下濫用其技術(shù)”的所有記憶體與系統(tǒng)廠商。

　　據(jù)了解，Yaskawa CACR-HR30UBzui近已經(jīng)對多家記憶體同業(yè)與非記憶體終端業(yè)者發(fā)出該公司將提出侵權(quán)訴訟的警告信（參考連結(jié)）。這有一部分是Spansion強化其自有IP的策略，但Pourkeramati對于IP侵權(quán)的警告，也可能只是先發(fā)制人，為的只是讓那些有意采用瑞薩eFlash技術(shù)的廠商打退堂鼓。

　　不過針對此事，瑞薩在東京的發(fā)言人表示，該公司并沒有接到Spsansion的任何訊息；EETimes美國版編輯向Pourkeramati 確認時，他也說瑞薩并不在警告信收件名單內(nèi)。因為缺乏進一步的證據(jù)，很難預(yù)測快閃記憶體MCU大戰(zhàn)何時會開打。

　　eCT vs. eFlash

　　有兩個議題預(yù)示了某種程度的沖突，其一是兩家公司技術(shù)的差異性程度，其二是目前他們的技術(shù)/產(chǎn)品開發(fā)進展。

　　Yaskawa CACR-HR30UB的嵌入式處理器暨車用半導(dǎo)體市場*分析師Tom Hackenberg表示，Spansion與瑞薩的技術(shù)“非常類似”，但該機構(gòu)所取得的資訊還不足以評論這兩家的技術(shù)是否近似到可能達成侵權(quán)的狀況：“他們的相似之處在于，兩者都對于通常應(yīng)用在嵌入式MCU的更成熟的NOR快閃記憶體技術(shù)做了一些類似的設(shè)計改善。”

　Yaskawa CACR-HR30UB指出，兩家公司的產(chǎn)品的新設(shè)計都采用非常薄的三層結(jié)構(gòu)（絕緣層-帶電層-絕緣層），以減少電流泄漏（如此能讓整個記憶體晶片更具省電效益），特別是當(dāng)記憶體單元在關(guān)閉模式，閘極中的電荷是0V。不過它們的閘極交錯結(jié)構(gòu)仍有一些不同之處，瑞薩包含了一些看來能在故障發(fā)生時減少錯誤的分離式閘極（split gate）設(shè)計。

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