Hackenberg指出，兩家公司的產(chǎn)品的新設(shè)計都采用非常薄的三層結(jié)構(gòu)（絕緣層-帶電層-絕緣層），以減少電流泄漏（如此能讓整個記憶體晶片更具省電效益），特別是當(dāng)記憶體單元在關(guān)閉模式，閘極中的電荷是0V。不過它們的閘極交錯結(jié)構(gòu)仍有一些不同之處，瑞薩包含了一些看來能在故障發(fā)生時減少錯誤的分離式閘極（split gate）設(shè)計。

　　兩者的zui后成果帶來了相似的整體邏輯IC讀/寫速度與省電效能改善，兩者的設(shè)計與傳統(tǒng)設(shè)計相較也更具可微縮性（主要是因為CACR-HR30UBY23傳統(tǒng)設(shè)計隨著制程不斷微縮，泄漏電流也快速增加）；使得進入40奈米制程能進一步改善速度與省電效益。

　　瑞薩的 eFlash 采用自家開發(fā)的記憶體單元技術(shù)MONOS （metal oxide nitride oxide silicon），該快閃記憶體單元內(nèi)的每個電晶體都是采用氧-氮-氧三層架構(gòu)，以矽晶為基礎(chǔ)，頂部有一個金屬閘極。而Spansion的電荷擷取技術(shù)，則是應(yīng)用自家的MirrorBit快閃記憶體技術(shù)。

　　CACR-HR30UBY23電荷擷取技術(shù)與傳統(tǒng)的浮動閘極MOSFET技術(shù)不同之處，是后者采用氮化矽薄膜來儲存電子，而MirrorBit記憶體單元不只是采用電荷擷取層來取代傳統(tǒng)的浮動閘，也利用了電荷儲存氮化物不會導(dǎo)電的特性，讓兩個位元能共享同一個記憶體單元。

　　瑞薩的分離式閘極記憶體單元設(shè)計具備快速、低耗電特性

　　CACR-HR30UBY23為了讓各自的技術(shù)更適用于嵌入式快閃記憶體MCU，兩家公司都開發(fā)了新的閘極架構(gòu)；瑞薩的分離式閘極結(jié)構(gòu)是將閘極分為兩部分，其中之一用以支援記憶體單元選擇（memory-cell select）功能，另一部分則是用以儲存資料；選擇閘極通常是關(guān)閉（在關(guān)閉狀態(tài)下的耗電為0），而記憶體閘極則通常是開啟。

　　Spansion采用MirrorBit記憶體單元作為eCT的基礎(chǔ)，不過為eCT單元內(nèi)的記憶體閘搭配一個低電壓選擇閘極。Pourkeramati表示，eCT技術(shù)與傳統(tǒng)的MirrorBit技術(shù)稍有不同，因為前者仰賴每個記憶體單元內(nèi)的單個位元而非兩個，因此在讀取速度與耗電方面具備優(yōu)勢。氮化物電荷儲存材料與編程/抹除eCT記憶體單元的物理特性基本上是相同的。

　　Spansion 的電荷擷取技術(shù)能達到更小巧的儲存單元

　　根據(jù)Spansion表示，新的記憶體單元構(gòu)造能提供超快的讀取速度，并強化編程與抹除性能；該公司宣稱，其隨機存取時間在5~10ns左右，并表示eCT快閃記憶體對于高階微控制器應(yīng)用是非常理想的選擇。

　　CACR-HR30UBY23產(chǎn)品開發(fā)時程

　　瑞薩已利用其40奈米嵌入式快閃記憶體技術(shù)與臺積電（TSMC）合作，開發(fā)可*給其他半導(dǎo)體廠商的嵌入式快閃記憶體MCU平臺；該公司發(fā)言人表示，這種新的eFlash MCU平臺還仍在開發(fā)中，而問世時間表目前尚無法透露。當(dāng)被問到是否已經(jīng)有人取得eFlash MCU平臺*時，該發(fā)言人婉拒回答，并表示可能會涉及其他公司的利益。

　　因為收購富士通半導(dǎo)體（Fujitsu Semiconductor）的MCU部門而成為MCU供應(yīng)商的Spansion，則打算在2015年推出采用eCT技術(shù)為基礎(chǔ)的微控制器產(chǎn)品，該公司已經(jīng)將eCT技術(shù)*給晶圓代工廠聯(lián)電（UMC）。Pourkeramati表示eCT可開放*給其他晶片廠商，不過對該技術(shù)有興趣的要先找Spansion洽商，而且產(chǎn)品需要在聯(lián)電生產(chǎn)。

　　針對40奈米制程快閃記憶體MCU市場，IHS的Hackenberg 表示，CACR-HR30UBY23市面上大多數(shù)的MCU仍是以90~130奈米制程生產(chǎn)，而瑞薩與Spansion采用的制程很新，在MCU市場上的占有率仍然很?。?ldquo;因為如此，針對這兩家公司的下一代新產(chǎn)品定價或是市場競爭情況的預(yù)測，目前仍是不切實際的。”

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