CACR-SR01AB1ER隨著三級(jí)單元（簡(jiǎn)稱TLC）NAND普及程度的穩(wěn)步提高，Silicon Motion公司正積極圖謀利用其于本周閃存存儲(chǔ)峰會(huì)上發(fā)布的SSD控制器進(jìn)一步加快上述趨勢(shì)。該公司表示，其商用SM2256每秒6Gbit SSD控制器支持1x/1y/1z TLC NAND，不僅是該類別中的產(chǎn)品、而且建立在其去年發(fā)布的初代SATA 3 SSD控制器的容量基礎(chǔ)之上。

　　CACR-SR01AB1ER公司美國(guó)SMI副總裁兼總Robert Fan表示，SM2256的設(shè)計(jì)目的在于利用其客戶端設(shè)備為大量TLC NAND提供支持——其中包括3D NAND，并計(jì)劃借此幫助OEM廠商獲取包括固件在內(nèi)的完整軟件包、從而不斷向市場(chǎng)投放新的TLC NAND SSD產(chǎn)品。他強(qiáng)調(diào)稱，這項(xiàng)新型控制器技術(shù)將有助于降低TLC NAND SSD產(chǎn)品價(jià)格，從而使其應(yīng)用在更為廣泛的客戶端設(shè)備之上——其中包括目前仍普遍使用傳統(tǒng)磁盤驅(qū)動(dòng)器的筆記本設(shè)備。

　　今年早些時(shí)候IHS Technology發(fā)布了一份報(bào)告，調(diào)查發(fā)現(xiàn)目前HDD市場(chǎng)由于智能手機(jī)與平板設(shè)備的快速崛起而陷入困境，這種狀況也在一定程度上給消費(fèi)級(jí)PC市場(chǎng)帶來了影響。不過SSD市場(chǎng)仍在持續(xù)增長(zhǎng)，這要?dú)w功于近來出現(xiàn)的SSD成本下降外加超級(jí)本與超薄式PC設(shè)備所引發(fā)的閃存驅(qū)動(dòng)器使用熱潮。

　　TLC NAND方案面臨的關(guān)鍵性挑戰(zhàn)之一在于使用壽命，就這一問題Fan表示可以利用合理的控制器技術(shù)成果加以解決，而這反過來都會(huì)進(jìn)一步促進(jìn)TLC NAND的普及。SM2256控制器當(dāng)中包括該公司的NANDXtend技術(shù)，根據(jù)他的說法，該技術(shù)能夠?yàn)門LC NAND帶來三倍于初始水平的P/E生命周期、同時(shí)克服了其在耐用性及數(shù)據(jù)保留方面的短板。

　　在性能方面，CACR-SR01AB1ER的連續(xù)讀取能力可達(dá)每秒524Mb，連續(xù)寫入能力則可達(dá)每秒400Mb，而隨機(jī)讀取與隨機(jī)寫入則分別可達(dá)9萬IOPS與7萬IOPS。Fan表示SM2256的完整設(shè)計(jì)工具如今已經(jīng)正式推出，其中包括一份控制器數(shù)據(jù)表、評(píng)估方案、原理圖以及固件。該產(chǎn)品也能支持客戶的自定義固件。Silicon Motion預(yù)計(jì)使用SM2256控制器的閃存產(chǎn)品將于明年年初與廣大用戶見面。

　　Objective分析公司*分析師Jim Handy指出，Silicon Motion目前在對(duì)應(yīng)市場(chǎng)區(qū)劃中擁有吸引力的定位，這主要是考慮到希捷已經(jīng)收購(gòu)了LSI、而Marvell也受到了相當(dāng)程度的認(rèn)可。盡管Silicon Motion并沒有在建立之初就邁入SATA SSD控制器供應(yīng)商陣營(yíng)，但該公司自去年開始已經(jīng)開始沖擊這一市場(chǎng)，并依靠自身在USB設(shè)備控制器方面的豐富經(jīng)驗(yàn)為TLC產(chǎn)品推廣與使用體驗(yàn)改進(jìn)提供輔助，他解釋稱。

　　Handy表示，他曾在一年前預(yù)計(jì)TLC將迎來普及度提升，并指出這樣的成長(zhǎng)軌跡與MLC閃存頗為相似——后者當(dāng)初也曾被認(rèn)為無法勝任客戶機(jī)CACR-SR01AB1ER的可行方案。然而在找到了市場(chǎng)突破口之后，MLCzui終還是取得了進(jìn)軍企業(yè)級(jí)市場(chǎng)的途徑。他認(rèn)為TLC將遵循同樣的發(fā)展路線——在不久的將來被應(yīng)用為客戶機(jī)SSD，并zui終出現(xiàn)在企業(yè)設(shè)備當(dāng)中。當(dāng)然，這一切在未來一到兩年中恐怕還無法實(shí)現(xiàn)。

　　與此同時(shí)，內(nèi)存供應(yīng)商們正積極尋求改進(jìn)NAND整體成本競(jìng)爭(zhēng)力的辦法。舉例來說，美光公司正在推進(jìn)其16納米TLC路線圖，并預(yù)計(jì)將在今年年底時(shí)拿出16納米TLC產(chǎn)品的示范性組件——基于客戶機(jī)的CACR-SR01AB1ER則將在2015年春季面世。三星曾于2012年秋季公布過采用TLC機(jī)制與21納米制程技術(shù)的64 Gbit NAND閃存產(chǎn)品，并于2013年5月公布了采用10納米級(jí)別制程技術(shù)以及128 Gbit TLC NAND芯片的高級(jí)NAND閃存設(shè)備。

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