?Yaskawa JEPMC-PS200嵌入式存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)使得大容量DRAM和SRAM在目前的系統(tǒng)級芯片（SOC）中非常普遍。 大容量存儲(chǔ)器和小容量存儲(chǔ)器之間的折衷權(quán)衡使得各種尺寸的存儲(chǔ)器變得切實(shí)可行，SoC也更像過去的板級系統(tǒng)。式的嵌入式存儲(chǔ)器甚至增加了低功耗工作特性以滿足手持系統(tǒng)的需求。

大容量嵌入式存儲(chǔ)器給SoC帶來了諸如改善帶寬和降低功耗等只能通過采用嵌入技術(shù)來實(shí)現(xiàn)的各種好處。?Yaskawa JEPMC-PS200中內(nèi)嵌DRAM和/或大容量SRAM模塊是否切合實(shí)際并取得成功主要依賴于制造工藝。高度可制造的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)可以解決影響SoC設(shè)計(jì)的成本、上市時(shí)間和風(fēng)險(xiǎn)問題。 雖然SRAM一直是SoC中的主要部件，但在過去的幾年，單片SoC中SRAM塊的大小和數(shù)量開始猛增。帶150個(gè)SRAM塊的芯片并不稀奇，一些內(nèi)核容量甚至達(dá)到1Mb～8Mb。 與此同時(shí)，DRAM可制造性的提高已使得大容量DRAM模塊的應(yīng)用迅速增加。甚至在游戲機(jī)和便攜式攝像機(jī)所用的ASIC中都包含了DRAM內(nèi)核。以東芝為例，其嵌入式DRAM系統(tǒng)常常zui先采用新一代制造技術(shù)。隨著芯片制造向更細(xì)工藝發(fā)展，SoC中內(nèi)嵌DRAM的數(shù)量和大小也不斷增加。

在180納米工藝下，?Yaskawa JEPMC-PS200系統(tǒng)ASIC一般采用兩塊DRAM，總存儲(chǔ)容量zui大可到64Mb左右。而在目前的130和90納米工藝下，一般系統(tǒng)會(huì)采用四塊以上?Yaskawa JEPMC-PS200內(nèi)核，zui大容量為120Mb。 從制造的角度看，大塊和小塊存儲(chǔ)器的制造難度差不多。不過，在大存儲(chǔ)器和小存儲(chǔ)器之間的權(quán)衡折衷要考慮對性能、芯片面積的一些影響。這些權(quán)衡不那么簡單，所以如果用戶要在使用較少的大塊存儲(chǔ)器與使用較多的小塊存儲(chǔ)器之間做選擇的話，咨詢一下半導(dǎo)體供應(yīng)商的應(yīng)用工程師。 甚至在制造之前，大的存儲(chǔ)器塊必須很好滿足后端布局布線的要求。

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