當(dāng)前位置:上海伯東企業(yè)有限公司>>技術(shù)文章>>伯東 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 輔助鍍制 HfO2 薄膜
傳統(tǒng)直接蒸發(fā) HfO2塊材料, 容易產(chǎn)生節(jié)瘤缺陷, 吸收很大, 限制了薄膜的激光損傷閾值, 因此, 為了獲取高質(zhì)量的 HfO2 薄膜, 某機(jī)構(gòu)采用 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 輔助鍍制 HfO2 薄膜.
客戶的樣品基底材料為 K9 玻璃, 靶材為 HfO2塊材料, 運(yùn)行的離子源偏壓為 90V.

伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 技術(shù)參數(shù):
離子源型號 | 離子源 KDC 160 |
Discharge | DC 熱離子 |
離子束流 | >650 mA |
離子動(dòng)能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 16 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 2-30 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 25.2 cm |
直徑 | 23.2 cm |
中和器 | 燈絲 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架
應(yīng)用結(jié)果:
通過使用伯東 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 在偏壓為 90V 時(shí), 制造得到的HfO2 薄膜晶粒減小, 膜結(jié)構(gòu)更均勻, 緩解了激光能量的局部聚焦, 因此具有較高的損傷閾值.
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