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Hakuto 全自動(dòng)離子刻蝕機(jī) MEL3100 用于刻蝕薄膜磁盤(pán)2020/11/25

某薄膜磁盤(pán)制造采用Hakuto全自動(dòng)離子刻蝕機(jī)MEL3100用于刻蝕薄膜磁盤(pán),去除濺射鍍制磁盤(pán)薄膜的污染物和提高薄膜的均勻性.Hakuto全自動(dòng)離子刻蝕機(jī)MEL3100技術(shù)參數(shù):ModelMEL310...

Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE 用于刻蝕硅微機(jī)械陀螺芯片2020/11/24

Hakuto離子蝕刻機(jī)7.5IBE用于刻蝕硅微機(jī)械陀螺芯片某芯片實(shí)驗(yàn)室為了解決芯片濕法刻蝕難以解決的橫向腐蝕問(wèn)題,引進(jìn)伯東Hakuto離子蝕刻機(jī)7.5IBE用于刻蝕硅微機(jī)械陀螺芯片.Hakuto離子蝕...

Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE 刻蝕碳化硅微光學(xué)元件2020/11/23

某光學(xué)元件制造商為了優(yōu)化碳化硅微光學(xué)元件,降低碳化硅微光學(xué)元件表面粗糙度,采用Hakuto離子蝕刻機(jī)10IBE對(duì)其進(jìn)行優(yōu)化.Hakuto離子蝕刻機(jī)10IBE技術(shù)參數(shù):基板尺寸樣品臺(tái)直接冷卻（水冷）0-...

伯東離子刻蝕機(jī) IBE 用于金銅鎳銀鉑等材料微米級(jí)刻蝕2020/11/19

Hakuto日本原裝設(shè)計(jì)制造離子刻蝕機(jī)IBE,提供微米級(jí)刻蝕,滿足所有材料的刻蝕,即使對(duì)磁性材料,金銅鎳銀鉑等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料,這些難刻蝕的材料也能進(jìn)行微米級(jí)刻蝕.伯東離子刻蝕機(jī)IBE組成主要包含...

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源在 PCB 鉆頭銑刀上的應(yīng)用2020/11/13

電子工業(yè)的飛速發(fā)展對(duì)線路板制造業(yè)的要求越來(lái)越高,線路板層數(shù)越來(lái)越高,孔密越來(lái)越大并向微孔化不斷發(fā)展,某國(guó)內(nèi)制造商為了銑刀進(jìn)行銑邊及成型加工時(shí),減少產(chǎn)品的披鋒、毛刺及銑刀斷刀,采用伯東KRI考夫曼聚焦型...

伯東 KRI 離子源 RFICP220 用于鐘表行業(yè)鍍制納米薄膜2020/11/12

現(xiàn)代鐘表產(chǎn)品愈加青睞新材質(zhì)的應(yīng)用與設(shè)計(jì),這也是現(xiàn)代鐘表產(chǎn)品順應(yīng)市場(chǎng)需求和客戶體驗(yàn)的直觀表現(xiàn),不銹鋼表面納米薄膜涂層具有低摩擦,高耐磨,高耐蝕和高生物相容性等技術(shù)特點(diǎn),因此在國(guó)外中手表產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用.某...

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源用于純鈦表面氨基化改性的研究2020/11/11

某機(jī)構(gòu)為了研究離子源處理純鈦材料表面的時(shí)間長(zhǎng)短對(duì)純鈦材料表面生物活性及親水性的影響,采用伯東KRI考夫曼射頻離子源RFICP380用于純鈦表面氨基化改性的研究.試驗(yàn)樣品:8mmX8mm的厚度1mmde...

KRI 考夫曼射頻離子源 用于制備超薄 TEM 樣品2020/10/26

普通傳統(tǒng)的制樣減薄方法存在遠(yuǎn)端的薄區(qū)極易彎曲和薄區(qū)厚度不均勻的問(wèn)題,因此某機(jī)構(gòu)采用伯東KRI考夫曼聚焦型射頻離子源RFICP380通過(guò)交叉減薄的方法制備超薄TEM樣品.交叉減薄交叉減薄的過(guò)程利用TEM...

伯東 KRI 考夫曼霍爾離子源清洗 PPS/ PEEK 襯底面2020/10/23

為了獲得具備電磁屏蔽能力的PPS,PEEK等高分子輕量化材料,但PPS,PEEK導(dǎo)電性能差、無(wú)電磁波屏蔽能力或者達(dá)不到理想的屏蔽效果,因此,某機(jī)構(gòu)采用磁控濺射鍍膜工藝對(duì)PPS、PEEK等材料結(jié)構(gòu)件產(chǎn)品...

KRI 射頻離子源用于透明導(dǎo)電薄膜及性能研究試驗(yàn)2020/10/22

某實(shí)驗(yàn)室運(yùn)用直流磁控濺射法,采用ZAO陶瓷靶材,結(jié)合正交試驗(yàn)表通過(guò)改變制備工藝中的基片溫度、濺射功率、氧流量百分比等參數(shù),在普通玻璃襯底上制備得到ZnO:Al（ZAO）透明導(dǎo)電薄膜.試驗(yàn)設(shè)備:伯東KR...

伯東 KRI 聚焦型射頻離子源輔助磁控濺射沉積氧化銦錫 ITO 薄膜2020/10/21

伯東KRI聚焦型射頻離子源輔助磁控濺射沉積氧化銦錫ITO薄膜氧化銦錫ITO薄膜具有高電導(dǎo)率和可見(jiàn)光透過(guò)率、紫外光區(qū)強(qiáng)吸收、紅外區(qū)域高反射等特性,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、等離子體液晶顯示器以及平板顯示...

KRI 射頻離子源和 分子泵組用于濺射沉積 Cu 薄膜2020/10/20

KRI射頻離子源RFICP380和分子泵組用于濺射沉積Cu薄膜薄膜表面粗糙度與機(jī)械零件的配合性質(zhì)、耐磨性、疲勞強(qiáng)度、接觸剛度、振動(dòng)和噪聲等有重要關(guān)系,直接決定機(jī)械產(chǎn)品的使用壽命和可靠性.因此,某薄膜制...

KRI 離子源用于離子束濺射鍍制 Ge 納米薄膜的研究2020/10/19

KRI離子源用于離子束濺射鍍制Ge納米薄膜的研究在硅襯底上生長(zhǎng)Ge量子點(diǎn)唄認(rèn)為是可能實(shí)現(xiàn)Si基發(fā)光的重要途徑,對(duì)Si基光電子、微電子或單電子器件有重要影響.某研究所采用伯東KRI離子源用于離子束濺射鍍...

伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射技術(shù)獲取高反射吸收Ta2O5薄膜2020/10/16

伯東KRI雙離子源輔助離子束濺射技術(shù)獲取高反射吸收Ta2O5薄膜為了獲取高性能紫外激光薄膜元件,急需研制紫外高吸收薄膜,某研究所采用伯東KRI雙離子源輔助離子束濺射沉積技術(shù)鍍制Ta2O5薄膜進(jìn)行研究....

KRI 射頻離子源 RFICP 380 輔助離子束濺射鍍SiO_2薄膜2020/10/15

二氧化硅(SiO_2)薄膜具有硬度高、耐磨性好、絕緣性好等優(yōu)點(diǎn)常作為絕緣層材料在薄膜傳感器生產(chǎn)中得到廣泛應(yīng)用.某光學(xué)薄膜制造商為了獲得高品質(zhì)的SiO_2薄膜引進(jìn)伯東KRI聚焦型射頻離子源RFICP38...