OBIRCH（光束誘導電阻變化）.結(jié)論性意見,因此，本項目擬新增1臺集成光子分析儀 ，用以滿足國軍標###方法5003篩選程序規(guī)定的篩選項目。光子發(fā)射顯微鏡是一種模塊化的設(shè)計，它以人性化綜合控制系統(tǒng)為中心，實現(xiàn)了簡易的操作和非凡的測試精度。在定位IC失效位置方面，以它的簡單，避免了由于人員流動產(chǎn)生的技術(shù)脫節(jié)，節(jié)約人員培訓成本。隨著可靠性測試流程逐步的*，光子微漏電測試設(shè)備也成了*必要項目，如未建立此實驗仍需要外協(xié)檢測，增加了測試成本。此設(shè)備幾乎重新定義了光子發(fā)射顯微鏡檢測法，在國內(nèi)市場屬于技術(shù)。建立后可外協(xié)其他部門進行實驗，實現(xiàn)增值服務。設(shè)備的采購是必要、合理的。

OBIRCH（光束誘導電阻變化）

對於故障分析而言，微光顯微鏡(Emission Microscope, EMMI)是一種相當有用且效率*的分析工具。主要偵測IC內(nèi)部所放出光子。在IC元件中，EHP(Electron Hole Pairs) Recombination會放出光子(Photon)。舉例說明：在P-N 結(jié)加偏壓，此時N阱的電子很容易擴散到P阱，而P的空穴也容易擴散至N然後與P端的空穴（或N端的電子）做 EHP Recombination。中文名

微光顯微鏡

OBIRCH（光束誘導電阻變化）

偵測得到亮點之情況：

會產(chǎn)生亮點的缺陷 - 漏電結(jié)（Junction Leakage）; 接觸毛刺（Contact spiking）; （熱電子效應）Hot electrons;閂鎖效應（ Latch-Up）;氧化層漏電（ Gate oxide defects / Leakage(F-N current)）;多晶硅晶須（

Poly-silicon filaments）; 襯底損傷（Substrate damage）; （物理損傷）Mechanical damage等。

原來就會有的亮點 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse；biased diodes(break down) 等。

偵測不到亮點之情況：

不會出現(xiàn)亮點的故障 - 歐姆接觸；金屬互聯(lián)短路；表面反型層；硅導電通路等。

亮點被遮蔽之情況 - Buried Junctions及Leakage sites under metal，這種情況可以采用backside模式，但是只能探測近紅外波段的發(fā)光，且需要減薄及拋光處理。

OBIRCH（光束誘導電阻變化）

光誘導電阻變化（OBIRCH）模式能快速準確的進行IC中元件的短路、布線和通孔互聯(lián)中的空洞、金屬中的硅沉積等缺陷。其工作原理是利用激光束在恒定電壓下的器件表面進行掃描，激光束部分能量轉(zhuǎn)化為熱能，如果金屬互聯(lián)線存在缺陷，缺陷處溫度將無法迅速通過金屬線傳導散開，這將導致缺陷處溫度累計升高，并進一步引起金屬線電阻以及電流變化，通過變化區(qū)域與激光束掃描位置的對應，定位缺陷位置。OBIRCH模式具有高分辨能力，其測試精度可達n*。

PEM（Photo Emission Microscope)

光束誘導電阻變化（OBIRCH）功能與光發(fā)射（EMMI）常見集成在一個檢測系統(tǒng)，合稱PEM（Photo Emission Microscope)，兩者互為補充，能夠很好的應對絕大多數(shù)失效模式。