濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)高，一般要求如，尺寸、平整度、純度、各項(xiàng)雜質(zhì)含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制；較高要求或特殊要求包含：表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物（氧化物）含量與尺寸、導(dǎo)磁率、超高密度與超細(xì)晶粒等等。磁控濺射鍍膜是一種新型的物理氣相鍍膜方式,就是用電子槍系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。 濺射靶材有金屬，合金，陶瓷化合物等。

濺射技術(shù)作為薄膜材料制備的主流工藝，其應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，如平面顯示、集成電路半導(dǎo)體、太陽能電池、信息存儲、工具改性、光學(xué)鍍膜、電子器件、高檔裝飾用品等行業(yè)。20世紀(jì)90年代以來，隨著消費(fèi)電子等終端應(yīng)用市場的高速發(fā)展，高性能濺射靶材的市場規(guī)模日益擴(kuò)大，呈現(xiàn)高速增長的勢頭。據(jù)西南證券統(tǒng)計(jì)及預(yù)測，2013-2020年，濺射靶材市場規(guī)模將從75.6億美元上升至195.63億美元，年復(fù)合增速為14.42%。預(yù)計(jì)2021年濺射靶材市場規(guī)模將達(dá)213億美元。主要增長點(diǎn)包括平面顯示、集成電路半導(dǎo)體、太陽能電池以及記錄媒體等領(lǐng)域。