尼康宣布，將于2024年1月正式推出ArF 193納米浸沒(méi)式光刻機(jī)“NSR-S636E”，生產(chǎn)效率、套刻精度都會(huì)有進(jìn)一步提升。 

據(jù)悉，尼康這款曝光機(jī)采用增強(qiáng)型iAS設(shè)計(jì)，可用于高精度測(cè)量、圓翹曲和畸變校正，重疊精度(MMO)更高，號(hào)稱(chēng)不超過(guò)2.1納米。分辨率小于38納米，鏡頭孔徑1.35，曝光面積為26x33毫米。 

對(duì)比當(dāng)前型號(hào)，它的整體生產(chǎn)效率可提高10-15％，創(chuàng)下尼康光刻設(shè)備的新高，每小時(shí)可生產(chǎn)280片晶圓，停機(jī)時(shí)間也更短。 

尼康還表示，在不犧牲生產(chǎn)效率的前提下，新光刻機(jī)可在需要高重疊精度的半導(dǎo)體制造中提供更高的性能，尤其是邏輯和內(nèi)存、CMOS圖像傳感器、3D閃存等3D半導(dǎo)體制造，堪稱(chēng)解決方案。 

另?yè)?jù)了解，新光刻機(jī)的光源技術(shù)是20世紀(jì)90年代就已經(jīng)成熟的“i-line”，再加上相關(guān)零件、技術(shù)的成熟化，價(jià)格將比競(jìng)品便宜20-30％左右。 

不過(guò)，目前尚不清楚尼康這款光刻機(jī)能制造多少納米的芯片。 

日本尼康宣布全新ArF浸沒(méi)式光刻機(jī)：精度小于2.1納米、價(jià)格便宜30％ 

日本尼康、佳能與荷蘭阿斯麥(ASML)曾經(jīng)是光刻機(jī)三，但因?yàn)辄c(diǎn)錯(cuò)了科技樹(shù)，沒(méi)有跟上阿斯麥的193納米浸沒(méi)式光刻技術(shù)，逐漸沒(méi)落，尤其是在EUV極紫外光刻技術(shù)上毫無(wú)建樹(shù)。 

為了生存，尼康、佳能基本放棄了對(duì)光刻技術(shù)的角逐，更專(zhuān)注于難度更低、價(jià)格更低的成熟工藝光刻設(shè)備。 

但他們也并非一無(wú)是處，比如佳能研發(fā)了納米壓印技術(shù)(NIL)，無(wú)需EUV就能制造5納米芯片。 

來(lái)源：快科技