摘要 TEL二手現(xiàn)貨刻蝕機SCCMSHIN與2006年投入使用，可以對12英寸晶圓進行蝕刻加工

摘要 專業(yè)的沉積設(shè)備制造商，為各個領(lǐng)域的客戶提供*的薄膜沉積解決方案：電子束蒸發(fā)系統(tǒng)、熱蒸發(fā)系統(tǒng)、超高真空蒸發(fā)系統(tǒng)、分子束外延MBE、有機分子束沉積OMBD、等離子增強化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)PECVD/ICP Etcher、電子回旋共振等離子體增強化學(xué)氣相沉積、離子泵等。

摘要NRE-4000型RIE-PE刻蝕機：提供PC控制的PE刻蝕RIE刻蝕一體機，配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品.具有不銹鋼柜子以及13“的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2“的視窗,另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持Z大到12“的晶圓...

摘要NRE-3000型RIE-PE刻蝕機：PC控制的RIE刻蝕PE刻蝕系統(tǒng)，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品，不銹鋼柜子及13“的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2“的視窗,另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持Z大到12“的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計...

摘要NRE-3500型RIE-PE刻蝕機：PC控制的RIE刻蝕PE刻蝕一體機，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品，不銹鋼柜子及13“的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2“的視窗,另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持Z大到12“的晶圓片。腔體為超凈設(shè)...

摘要 NIE-3500（A）全自動IBE離子束刻蝕：是一款自動放片/取片，并且工藝過程為全自動計算機控制的緊湊型獨立的立柜式離子束刻蝕系統(tǒng)，可以用于表面清洗、表面處理、離子銑。

摘要 NIM-4000（M）離子銑刻蝕系統(tǒng)：利用離子束轟擊固體表面的濺射作用，剝離加工各種幾何圖形，通過大面積離子源產(chǎn)生的離子束，可對固體材料濺射刻蝕，對固體器件進行微細加工。

摘要NIE-4000（A）全自動IBE離子束刻蝕：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的...

摘要 NDR-4000（A）全自動DRIE深反應(yīng)離子刻蝕：全自動上下載片，帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統(tǒng)，帶8“ ICP源。系統(tǒng)配套500L/S抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下，系統(tǒng)可以達到硅片的高深寬比刻蝕。

摘要NRE-4000（ICPA）全自動ICP刻蝕系統(tǒng)：自動上下載片，帶ICP等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)可以達到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果。可實現(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介...

摘要NRE-3000 反應(yīng)離子刻蝕機：PC控制的RIE反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品，不銹鋼柜子及13“的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2“的視窗,另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持Z大到12“的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計，真...

摘要NRE-3500（A）全自動反應(yīng)離子刻蝕機：自動上下栽片，PC控制的RIE反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品，不銹鋼柜，13“頂蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.2“觀察.該系統(tǒng)可以支持Z大到12“的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計，真空泵可以達到10-6 To...

摘要NRE-4000（A）全自動反應(yīng)離子刻蝕：獨立式RIE反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品，不銹鋼柜子以及13“的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2“的視窗,另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持Z大到12“的晶圓片。腔體為超凈設(shè)...

摘要 LAM 2300刻蝕

摘要 SAMCO二手翻新刻蝕系統(tǒng)刻蝕機RIE-10NR產(chǎn)品優(yōu)勢：高度緊湊型設(shè)計，節(jié)約空間

摘要 AMAT沉積刻蝕設(shè)備蝕刻機P5000由半導(dǎo)體設(shè)備廠商美國應(yīng)用材料公司(AppliedMaterials）生產(chǎn)，P5000系統(tǒng)是一臺成功的以單晶片、多反應(yīng)室理念而設(shè)計的量產(chǎn)與研發(fā)均適用的半導(dǎo)體制程設(shè)備

摘要 愛發(fā)科ICP刻蝕設(shè)備刻蝕系統(tǒng)NE-550EXz現(xiàn)貨，電極的刻蝕效果好，能夠進行正確穩(wěn)定的刻蝕重點效果檢測，具有維護便利、性能穩(wěn)定、產(chǎn)能優(yōu)良等特點

摘要Hakuto 全自動離子蝕刻機 MEL3100 具有良好的均勻性和高蝕刻率, 刻蝕均勻度: 5%, 硅片 Si 蝕刻速率 10 nm/min, 具有高冷卻效果.所有流程全自動減少人工操作, 從而保證了產(chǎn)品的無差錯、高穩(wěn)定性和高質(zhì)量.占用空間小, 容易維護和用戶操作友好...

摘要上海伯東日本小型 Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE, 適用于科研院所, 實驗室研究, 干式制程的微細加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 配置使用美國 KRI 8cm 考夫曼離子源, 蝕刻均勻性:...

摘要上海伯東日本適合中等規(guī)模量產(chǎn)使用的 Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C. 無論使用什么材料都可以用來加工.蝕刻均勻性: 5%, 硅片 Si 刻蝕速率 20 nm/min, 樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻, 0~90度旋轉(zhuǎn), 因此射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可...

摘要上海伯東日本適合大規(guī)模量產(chǎn)使用的 Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J, 無論使用什么材料都可以用來加工.Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 配置使用美國 KRI 20cm 考夫曼離子源, 蝕刻均勻性: 5%, 硅片 Si 刻蝕速率20 nm/min, 樣品...

摘要 上海伯東日本離子蝕刻機 IBE 包含小型離子蝕刻機用于研究分析和大型離子蝕刻系統(tǒng)用于生產(chǎn)制造. Hakuto 離子蝕刻系統(tǒng)對磁性材料, 黃金, 鉑和合金金屬提供較佳蝕刻技術(shù). 它很容易做各種材料的蝕刻.上海伯東是日本伯東 Hakuto 離子蝕刻機 IBE 中國總代理

摘要上海伯東日本適合小規(guī)模量產(chǎn)使用和實驗室研究的 Hakuto 離子蝕刻機 10IBE.蝕刻均勻性: 5%, 硅 Si 刻蝕速率20 nm/min, 樣品臺: 直接冷卻（水冷）0~90 度旋轉(zhuǎn).Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 內(nèi)部使用美國 KRI 考夫曼離子源產(chǎn)生轟...

摘要 IBE離子束刻蝕系統(tǒng)北京特博代理美國IBE離子束刻蝕系統(tǒng)--功能*----科研

摘要 上海伯東日本*小型 Hakuto 離子蝕刻機, 適用于科研院所, 實驗室研究, 干式制程的微細加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.

摘要 上海伯東日本*適合中等規(guī)模量產(chǎn)使用的 Hakuto 離子刻蝕機, 樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻

摘要 上海伯東日本*適合大規(guī)模量產(chǎn)使用的 Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J

摘要 上海伯東日本*適合小規(guī)模量產(chǎn)使用和實驗室研究的離子蝕刻機, 一般通氬氣 Ar, 無污染, 內(nèi)部使用美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 40 產(chǎn)生轟擊離子; 終點檢出器采用 Pfeiffer 殘余質(zhì)譜監(jiān)測當(dāng)前氣體成分, 判斷刻蝕情況.

摘要 Leica EM ACE900 冷凍斷裂系統(tǒng)在一臺儀器中對樣品完成冷凍斷裂、冷凍蝕刻和電子束鍍膜。通過旋轉(zhuǎn)冷凍式載臺，利用電子束進行高分辨率碳/金屬復(fù)合鍍膜，適用于任何TEM和SEM分析，可提供靈活的投影選擇。

摘要 刻蝕設(shè)備PlasmaPro1000 Astrea新型的PlasmaPro1000 Astrea刻蝕設(shè)備，該設(shè)備可以為PSS, GaN 和AlGaInP提供大批量刻蝕提供解決方案，有助于HBLED制造商提高良率和降低使用者成本。

摘要 電子束實驗儀 型號：LDX-HN-EB-II產(chǎn)品介紹：　　該儀器是我廠根據(jù)我國教學(xué)大綱規(guī)定的內(nèi)容研制的分組實驗儀器，通過定量測量來研究電子在各種電場和磁場中運動變化規(guī)律。