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霍爾離子源典型應(yīng)用 IBE 離子刻蝕 鍍膜機(jī)

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  • 型號
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  • 所在地上海市
  • 更新時間2025-10-25
  • 廠商性質(zhì)代理商
  • 所在地區(qū)上海市
  • 實名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量200
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         位于中國上海浦東外高橋保稅區(qū)的伯東企業(yè)(上海)有限公司創(chuàng)建于1995年12月,, 是日本伯東株式會社獨(dú)資設(shè)立的外商投資企業(yè),公司注冊資金為200萬美元,到目前為止公司從業(yè)員工有400多人。
         伯東企業(yè)(上海)有限公司真空產(chǎn)品事業(yè)部()專業(yè)銷售及維修德國Pfeiffer單雙級旋片泵,干泵,羅茨泵,分子泵;應(yīng)用于各種條件下的真空測量(真空計, 真空規(guī)管);檢漏儀,質(zhì)譜儀,真空系統(tǒng)等等, 維修技術(shù)力量雄厚,保證 100 % 擁有標(biāo)準(zhǔn)的德國Pfeiffer原廠測試設(shè)備及調(diào)整工具和德國Pfeiffer專業(yè)培訓(xùn)工程師,多年來致力于真空系統(tǒng)的安裝、調(diào)試、維修、拆機(jī)、保養(yǎng)等,具有優(yōu)良的專業(yè)技能和服務(wù)意識,并獲得原廠*維修資質(zhì)證書。利用 Pfeiffer 進(jìn)口檢測設(shè)備對維修后的產(chǎn)品做*性能測試。

          另外公司還是美國 inTEST 高低溫沖擊測試機(jī), 德國 普發(fā) Pfeiffer  真空設(shè)備, 美國  KRI 考夫曼離子源, 日本  NS 離子蝕刻機(jī), 美國  HVA 真空閥門, 美國  Gel-pak 芯片包裝盒,比利時Europlasma 等離子表面處理機(jī) , 日本  Atonarp過程質(zhì)譜儀  和  美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備 等進(jìn)口品牌的指定代理商 .我們真誠期待與您的合作!



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上海伯東離子源典型應(yīng)用: 安裝在小型離子蝕刻機(jī)中的 KRI 霍爾離子源 EH 400 HC, 對 2英寸硅芯片蝕刻,霍爾離子源典型應(yīng)用 IBE 離子刻蝕
霍爾離子源典型應(yīng)用 IBE 離子刻蝕 鍍膜機(jī) 產(chǎn)品詳情

離子源應(yīng)用于離子刻蝕 IBE
上海伯東代理美國考夫曼 KRI 離子源, 其產(chǎn)品霍爾離子源 EH400 HC 成功應(yīng)用于離子蝕刻 IBE.
霍爾離子源離子抨擊能量強(qiáng), 蝕刻效率快, 可因應(yīng)多種基材特性, 霍爾源單次使用*, 耗材成本極低, 操作簡易, 安裝簡易, 因此美國考夫曼霍爾離子源廣泛應(yīng)用于蝕刻制程及基板前處理制程.

霍爾離子源客戶案例一: 某大學(xué)天文學(xué)系小尺寸刻蝕設(shè)備
系統(tǒng)功能: 對于 Fe, Se, Te ,PCCO 及多項材料刻蝕工藝.
樣品尺寸: 2英寸硅芯片.
刻蝕設(shè)備: 小型刻蝕設(shè)備. 選用上海伯東美國考夫曼品牌霍爾離子源 EH400 HC
上海伯東離子源 EH400HC
霍爾離子源 EH400HC 安裝于刻蝕腔體內(nèi)
上海伯東美國考夫曼離子源
離子源 EH400HC 自動控制單元
上海伯東美國考夫曼離子源控制器
霍爾離子源 EH400HC 通氬氣
離子源通氬氣
對于 FeSeTe 刻蝕應(yīng)用, 霍爾離子源 EH400HC 條件: 110V/1.5A, 刻蝕速率 >20 A/Sec
上海伯東考夫曼離子源蝕刻速率
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上海伯東美國離子源蝕刻速率

鑒于信息保密. 更詳細(xì)的離子源應(yīng)用歡迎

霍爾離子源 EH400HC 特性:
高離子濃度, 低離子能量
離子束涵蓋面積廣
鍍膜均勻性佳
提高鍍膜品質(zhì)
模塊化設(shè)計, 保養(yǎng)快速方便
增加光學(xué)膜后折射率 (Optical index)      
全自動控制設(shè)計, 操作簡易
低耗材成本, 安裝簡易

 


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