1. 應(yīng)用

自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用。

2. 簡(jiǎn)介

晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級(jí)3D集成和高級(jí)封裝的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。借助用于機(jī)械對(duì)準(zhǔn)SOI的EVG850LT自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)以及具有LowTemp™等離子活化的直接晶圓鍵合，融合了熔合的所有基本步驟-從清潔，等離子活化和對(duì)準(zhǔn)到預(yù)鍵合和IR檢查-。因此，經(jīng)過(guò)實(shí)踐檢驗(yàn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)EVG850LT確保了高達(dá)300mm尺寸的無(wú)空隙SOI晶片的高通量，高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。

3. EVG850 LT晶圓鍵合機(jī)特征

1) 利用EVG的LowTemp™等離子激 活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合

2) 適用于各種融合/分子晶圓鍵合應(yīng)用

3) 生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行

4) 盒到盒的自動(dòng)操作（錯(cuò)誤加載，SMIF或FOUP）

5) 無(wú)污染的背面處理

6) 超音速和/或刷子清潔

7) 機(jī)械鍵合或平面對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合

8) *的遠(yuǎn)程診斷

4. 技術(shù)數(shù)據(jù)

1) 晶圓直徑（基板尺寸）

A. 100-200、150-300毫米

B. 全自動(dòng)盒帶到盒帶操作

2) 預(yù)鍵合腔

A. 對(duì)準(zhǔn)類(lèi)型：平面到平面或凹口到凹口

B. 對(duì)準(zhǔn)精度：X和Y：±50µm，θ：±0.1°

C. 結(jié)合力：高達(dá)5N

D. 鍵合壓力起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活變化

E. 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件）

3) LowTemp™等離子激 活模塊

A. 2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體：N2和O2以及2種其他工藝氣體：高純度氣體（99.999％），稀有氣體（Ar，He，Ne等）和形成氣體（N2，Ar含量蕞高為4％的氣體）2）

B. 通用質(zhì)量流量控制器：可自校準(zhǔn)多達(dá)4種工藝氣體，可進(jìn)行配方編程，流速高達(dá)20.000sccm

C. 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件），高頻RF發(fā)生器和匹配單元

4) 清潔站

A. 清潔方法：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選）

B. 腔室：由PP或PFA制成

C. 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（蕞大）。2％濃度（可選）

D. 旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)：真空卡盤(pán)（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤(pán)（選件）由不含金屬離子的清潔材料制成

E. 旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5s）

F. 清潔臂：蕞多5條介質(zhì)線（1個(gè)超音速系統(tǒng)使用2條線）

5) 備選功能

A. ISO3迷你環(huán)境（根據(jù)ISO14644）

B. LowTemp™等離子活化腔室

C. 紅外檢查站