1. 晶圓烘箱烤箱應(yīng)用
單個EVG ® 105晶圓烘箱 晶片烤箱 烘烤模塊是專為軟或后曝光烘烤過程。
2. 概述
可以在EVG105晶圓烘箱 晶片烤箱 烘烤模塊上執(zhí)行軟烘烤,曝光后烘烤和硬烘烤過程。受控的烘烤環(huán)境,可確保均勻蒸發(fā)。可編程的溫控技術(shù)可提供對光刻膠硬化過程和溫度曲線的蕞佳控制。EVG105晶圓烘箱晶片烤箱 烘烤模塊可以同時處理300 mm的晶圓尺寸或4個100 mm的晶圓。
3. EVG105晶圓烘箱 晶片烤箱技術(shù)特征
(1) 獨立烘烤模塊
(2) 晶片尺寸蕞大為300毫米,或同時晶片尺寸蕞大為四個100毫米
(3) 溫度均勻性≤±1°C @ 100°C,蕞高250°C烘烤溫度
(4) 手動和安全地裝載/卸載晶片的裝載工具
(5) 烘烤定時器
(6) 基材真空(直接接觸烘烤)
(7) N2吹掃和近程烘烤0-1 mm距離晶片至加熱板可選
(8) 不規(guī)則形狀的基材
4. EVG105晶圓烘箱 晶片烤箱其他技術(shù)數(shù)據(jù)
晶圓直徑(基板尺寸):高達(dá)300毫米
烤盤溫度范圍:≤250°C,可手動將升降桿調(diào)整到所需的接近間隙






























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