電感耦合等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(ICP Chemical Vapor Deposition, ICPVD)利用ICP線圈將反應(yīng)氣體高度離化,是的CVD可以在高溫下實現(xiàn)一些特殊材料的沉積。該產(chǎn)品需根據(jù)用戶的應(yīng)用需求定制,目前定制的產(chǎn)品成功制備出直立生長石墨烯,而且可以通過工藝控制材料的生長狀態(tài)。這種石墨烯在催化,場發(fā)射領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。
技術(shù)參數(shù):
1 基片尺寸2~6 英寸;
2 加熱溫度 900℃;
3 最多可拓展6路工藝氣體;
4 可選快速傳樣腔體;































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