NS系列國(guó)產(chǎn)臺(tái)階儀以亞埃級(jí)分辨率檢測(cè)抗蝕劑材料，一站式解決批量檢測(cè)效率低、數(shù)據(jù)偏差大、適配性不足等行業(yè)痛點(diǎn)。主要在材料研發(fā)、工藝優(yōu)化與質(zhì)量管控中，測(cè)量臺(tái)階高度（納米至1050μm）、表面粗糙度（Ra、Rz等參數(shù)）、膜層厚度及應(yīng)力分布，為嚴(yán)苛檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)提供硬核數(shù)據(jù)支撐。

一、核心功能（針對(duì)抗蝕劑測(cè)量場(chǎng)景）

1.精準(zhǔn)參數(shù)測(cè)量，覆蓋工藝全流程

（1）抗蝕劑臺(tái)階高度：精準(zhǔn)測(cè)量納米至1050μm范圍的臺(tái)階高度，量化光刻膠涂覆厚度、顯影后殘留高度、蝕刻后臺(tái)階落差，保障電路圖案轉(zhuǎn)移精度。

（2）表面粗糙度輔助分析：同步獲取Ra、Rz等數(shù)十項(xiàng)粗糙度參數(shù)，評(píng)估抗蝕劑表面均勻性，避免因表面缺陷影響后續(xù)工藝效果。

（3）多維度數(shù)據(jù)互補(bǔ)：可選配應(yīng)力測(cè)量功能，輔助分析抗蝕劑涂覆后的表面應(yīng)力分布，為工藝優(yōu)化提供全面數(shù)據(jù)。

2.智能測(cè)量模式，適配不同檢測(cè)場(chǎng)景

（1）單區(qū)域快速檢測(cè)：針對(duì)研發(fā)樣品、小批量測(cè)試件，影像導(dǎo)航定位后一鍵啟動(dòng)，快速完成單點(diǎn)精準(zhǔn)測(cè)量，縮短研發(fā)周期。

（2）多區(qū)域批量檢測(cè)：針對(duì)量產(chǎn)芯片，按橫向/縱向距離陣列設(shè)置掃描路徑，一鍵完成整批樣品多點(diǎn)位檢測(cè)，減少重復(fù)操作。

（3）3D可視化呈現(xiàn)：自動(dòng)完成抗蝕劑表面掃描與3D圖像重建，細(xì)微臺(tái)階結(jié)構(gòu)直觀可溯，便于排查工藝異常。

（4）SPC統(tǒng)計(jì)分析：生成批量檢測(cè)數(shù)據(jù)趨勢(shì)圖表，支持質(zhì)量追溯與工藝偏差預(yù)警，助力穩(wěn)定量產(chǎn)良率。

二、核心應(yīng)用場(chǎng)景（聚焦半導(dǎo)體核心工藝）

1.半導(dǎo)體芯片制造：光刻膠涂覆厚度檢測(cè)、顯影后臺(tái)階高度分析、蝕刻工藝臺(tái)階落差測(cè)量、CMP后抗蝕劑殘留高度管控。

2.封裝工藝：封裝過(guò)程中抗蝕劑輔助層臺(tái)階高度檢測(cè)，保障封裝精度。

3.MEMS器件制造：MEMS結(jié)構(gòu)中抗蝕劑犧牲層臺(tái)階高度測(cè)量，支撐微型器件研發(fā)與量產(chǎn)。

4.科研與高校：光刻工藝研發(fā)、新型抗蝕劑材料性能測(cè)試，提供精準(zhǔn)數(shù)據(jù)支撐。

三、部分技術(shù)參數(shù)

技術(shù)測(cè)量：探針式表面輪廓測(cè)量技術(shù)

樣品觀測(cè)：光學(xué)導(dǎo)航攝像頭：500萬(wàn)像素高分辨率 彩色攝像機(jī)，F(xiàn)oV，1700*1400μm

平臺(tái)移動(dòng)范圍X/Y：電動(dòng)X/Y（100mm*100mm）（可手動(dòng)校平）

樣品厚度：50mm

載物臺(tái)晶圓尺寸：150mm（6吋），200mm（8吋）

臺(tái)階高度重復(fù)性：＜1nm（測(cè)量1μm臺(tái)階高度，1δ）

垂直分辨力：分辨力＜0.25 ?（量程為13um時(shí)）

儀器尺寸: 640*626*534(mm)

儀器總重量：<50kg

如需了解NS系列國(guó)產(chǎn)臺(tái)階儀產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)、申請(qǐng)樣品測(cè)試，或針對(duì)您的光刻工藝定制專屬檢測(cè)方案，歡迎隨時(shí)聯(lián)系中圖儀器。

（注：產(chǎn)品參數(shù)與服務(wù)可能根據(jù)技術(shù)升級(jí)實(shí)時(shí)更新，具體以新標(biāo)準(zhǔn)為準(zhǔn)，詳情可咨詢客服獲取完整資料。）