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等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)

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  • 型號
  • 品牌
  • 所在地上海
  • 更新時間2024-08-10
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 所在地區(qū)上海
  • 實名認證已認證
  • 產(chǎn)品數(shù)量167
  • 人氣值3943
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上海德竹芯源科技有限公司是一家專注于功率器件、光電器件、射頻器件、量子器件、MEMS傳感器領域的設備銷售、系統(tǒng)集成、設備國產(chǎn)化的公司。主要為高校、研究所、中試量產(chǎn)線及晶圓FAB廠提供半導體工藝設備、檢測設備、封裝設備、測試設備。目前公司已成為國內(nèi)少數(shù)幾家專業(yè)提供半導體工藝、檢測、封裝、測試整體解決方案的企業(yè)。公司主要成員為復旦大學、上海微系統(tǒng)所等半導體相關專業(yè)博士,擁有一支經(jīng)驗豐富、技術過硬的團隊。能夠出色地完成售前售中、售后的服務。目前公司已與眾多國際半導體設備企業(yè)建立了良好的合作關系(如:EVG、SAWNATEC、SENTECH、PICOSUN、SYSKEY、 Mavemn Panalyrical、PHL-CHINA、TEMPRESS,ROHDE&SCHWARZ、MPI等),致力于根據(jù)用戶的科研方向和量產(chǎn)的器件類別提供相應的全套設備選型和工藝整體解決方案。
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等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)是一種利用等離子體為沉積反應提供能量的化學氣相沉積(CVD)技術。PECVD可替代傳統(tǒng)CVD在較低的溫度下沉積各種薄膜,且能保證較高的薄膜質(zhì)量。
等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng) 產(chǎn)品詳情

等離子體增強化學氣相沉積

Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition - PECVD

Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition - ICPCVD

PECVD技術在半導體行業(yè)的應用比其他CVD技術更為廣泛。PECVD可以在較低的工作溫度(小于350°C)下沉積均勻的氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)薄膜,石墨烯薄膜等,CVD技術相比于PVD技術具備更好的階梯覆蓋性和孔隙高填充特性。SYSKEY的系統(tǒng)能精確控制反應壓力和襯底溫度等關鍵工藝參數(shù)以制備出高質(zhì)量的薄膜。平板式等離子體源適用于制備氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)薄膜,平板電極也可以用ICP線圈替代,產(chǎn)生的高密度等離子體可實現(xiàn)二維材料沉積。

ICP-CVD原理示意圖

二維材料鍍膜目前研究和應用比較火熱。矽碁科技在ICP-CVD的基礎上,針對二維材料開發(fā)出適用于石墨烯生長,硫系、硒系二維材料生長設備,可實現(xiàn)高品質(zhì)二維材料制備。

ICP-CVD石墨烯鍍膜

ICP-CVD硫化/硒化鍍膜

應用領域:

● SiOx、SiNx、α-Si薄膜

● DLC超硬鍍膜

● 有機顯示、有機鈣鈦礦太陽能電池領域薄膜封裝

● CIGS太陽能電池硒化

● 醫(yī)療領域相關產(chǎn)品

● 二維材料鍍膜(Graphene, MoS2, MoSe2, WS2, WSe2等)


應用展示:









配置特點:

● 可加載 12 英寸直徑的晶圓

● 薄膜均勻度優(yōu)于±5%

● 最多 10 路氣體管路,質(zhì)量流量精確控制

● 基板可加熱至 700°C,根據(jù)工藝制程定制

● 直接電容耦合等離子體(平板式)、遠程電容耦合等離子體(CCP)、電感耦合等離子體(ICP)

● 可配備等離子體自清潔功能

● 可選配單片或多片加載腔

● 可與手套箱集成,也可以與其他CVD設備集成

關鍵詞:手套箱
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