● 適用晶圓尺寸：6 寸及以下晶圓，同時兼容不小于 10mm×10mm 的碎片

● 適用晶圓厚度：100μm ~ 1000μm 厚度的晶圓的激光退火

● 激光模式：UV-YAG 激光器，波長 355nm

● 激光器脈沖寬度：60ns(@20kHz)

● 激光器標準壽命：20000h

● 激光束尺寸：Φ100um ± 5um

● 激光掃描方法：Galvano 高速掃描方式，光斑在掃描方向上的重疊率、行與行之間的重疊率均可調(diào)節(jié)

● 工藝腔室：室溫，工藝腔室用 N₂ 或 Ar 氛圍保護，帶有氧氣濃度監(jiān)控，通過軟件控制實現(xiàn)氧氣濃度達到 100ppm 以內(nèi)才啟動工藝的功能

● 生產(chǎn)能力：＞4wph＠6inch（光斑在掃描方向上的重疊率 67、行與行之間的重疊率 50% 的條件下）

● 非照射面溫度抑制：加工過程中，非照射面的溫度 ≤ 100℃

● 選擇性退火功能：可通過電腦軟件控制，對晶圓/樣片進行分區(qū)域不同條件選擇性激光退火

用戶的課題

● 兼顧晶圓薄片化及生產(chǎn)性的光源選定

● 針對 SiC 功率器件薄片化應用下光源（Green/UV）帶來的熱損傷

● SiC 功率器件的熱損傷與生產(chǎn)性之間的平衡

已解決問題、可達成目標

● 通過模擬實驗對照射條件的事先研究

● 驗證照射測試的模擬實驗結果，提案理想條件

● SiC 用激光退火設備光源選定之要點

激光光源選定時的要點

器件的厚度

● Green 激光相較于 UV 激光，因為對于金屬來說吸收率較低，作為退火條件，要求用較高的輻射強度進行照射。因此一般情況下，對于比 100~120μm 更薄的器件，更容易受到熱影響。

激光對SiC的穿透深度

● 對 SiC 晶圓進行激光照射時，不同波長會導致穿透深度產(chǎn)生差異。使用 Green 激光時，激光穿透至表面（圖案面）。這使得成膜工序中金屬膜（Ni/Ti）有缺陷時，便有圖案被破壞的風險。

金屬膜（Ni）的吸收率

● 激光的波長不同，金屬膜的吸收率也有所不同。若要求同樣的退火結果，反射率低（＝吸收率高）只需投入較少能量。反之能量投入越多，越容易對器件產(chǎn)生熱影響。

生產(chǎn)性

● 基于器件結構和金屬的成膜條件，其照射條件將有所不同，一般情況下，Green 激光的生產(chǎn)性比 UV 激光高出 2.5~3倍。