磁控濺射鍍膜

Magneto Sputter Deposition

磁控濺射是物理氣相沉積技術(shù) (Physical Vapor Deposition, PVD) 的一種。一般用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等薄膜材料，具有設(shè)備簡單、易于控制、效率高，面積大等優(yōu)點(diǎn)。磁控濺射原理：通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對(duì)帶電粒子的約束來誘導(dǎo)Ar離子轟擊材料表面，濺射出材料以沉積。

磁控濺射原理

磁控濺射鍍膜的關(guān)鍵在于靶槍的設(shè)計(jì)和氣路的設(shè)計(jì)，矽碁采用優(yōu)化的靶槍設(shè)計(jì)和氣路控制設(shè)計(jì)，將系統(tǒng)調(diào)配到磁控濺射適合的工藝窗口。

靶槍設(shè)計(jì)特點(diǎn)

根據(jù)客戶不同的真空度要求，我們可定制真空系統(tǒng)，其中包括高真空版本（5 × 10^-7 Torr），近超高真空版本（5 × 10^-9 Torr），以及超高真空版本（5 × 10^-10 Torr），以滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域和薄膜質(zhì)量的需求。對(duì)于基底材料的特殊要求，我們可提供不同功能的樣品臺(tái)，可實(shí)現(xiàn)加熱或者冷卻。

加熱型樣品臺(tái)

冷卻型樣品臺(tái)

樣品臺(tái)偏壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

● 金屬薄膜制備

● 半導(dǎo)體薄膜制備

● 氧化物、氮化物、多元氧化物薄膜制備

● 太陽能電池

● 超導(dǎo)材料

● 光學(xué)薄膜

● 磁性薄膜

● 超硬薄膜

應(yīng)用展示：

配置選型：

配置特點(diǎn)：

● 腔體尺寸：根據(jù)靶槍數(shù)量和襯底尺寸確定

● 極限真空優(yōu)于 5 × 10^-7 Torr，5 × 10^-9 Torr （near UHV），5 × 10^-10 Torr （UHV）

● 單基片設(shè)計(jì)，尺寸可定制，常規(guī)尺寸 8 寸并向下兼容

● 基片可加熱：Max. 300℃/500℃/800℃

● 最多可拓展 8 支磁控濺射靶槍，可共濺射

● 靶槍角度可調(diào)，濺鍍距離可調(diào)，可選配強(qiáng)磁靶

● 可選配多路氣路，支持反應(yīng)濺射

● 防交叉污染隔板設(shè)計(jì)

● 可配備離子束輔助沉積

● 可配備樣品射頻清洗/刻蝕功能

● 可配備快速進(jìn)樣室

● 可配備自動(dòng)壓力控制系統(tǒng)

● 全自動(dòng)操作系統(tǒng)

● 薄膜均勻度小于 ±3%