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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

深圳市云帆興燁科技有限公司(簡(jiǎn)稱云帆興燁)是一家專業(yè)從事儀器儀表產(chǎn)品的綜合性服務(wù)公司。公司于2004年成立，目前已經(jīng)成為儀器品牌代理商、系統(tǒng)集成商和綜合測(cè)試服務(wù)商。公司業(yè)務(wù)分為電子測(cè)試儀器，化學(xué)材料分析儀器，Al服務(wù)器等。云帆興燁與美國(guó)是德(Keysight)、美國(guó)力科(LeCroy)、英國(guó)思博倫(Spirent)、美國(guó)泰克(Tektronix)、美國(guó)科學(xué)儀器公司(STI)、美國(guó)國(guó)家儀器(NI)、日本吹田(SUITA)、德國(guó)斯派克(SPECTRO)等儀器制造商在中國(guó)區(qū)有著廣泛深入的合作。云帆興燁長(zhǎng)期致力于為電子信息、教育科研、電力石化、醫(yī)藥衛(wèi)生、金屬塑膠等領(lǐng)域提供分析測(cè)試儀器和系統(tǒng)集成服務(wù)。公司總部位于深圳市，在北京、上海、香港、廈門、蘇州、西安、美國(guó)、越南等地設(shè)有分支機(jī)構(gòu)。通過與分銷伙伴的合作，擁有覆蓋全國(guó)的服務(wù)網(wǎng)絡(luò)。云帆興燁擁有一批專業(yè)的售前售后工程師和技術(shù)開發(fā)工程師，在多年的發(fā)展中積累了大量的案例和經(jīng)驗(yàn)，能夠給客戶提供迅速、*、專業(yè)的服務(wù)。

點(diǎn)擊展示更多內(nèi)容

產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

產(chǎn)地	國(guó)產(chǎn)	加工定制	是

力鈦科LETAK功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，集多種測(cè)量功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT,以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻精確測(cè)量、毫安級(jí)漏電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下功率器件結(jié)電容測(cè)試，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 產(chǎn)品詳情

LET-5000半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)是一款測(cè)量與分析功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的專用儀器，為所有類型的功率半導(dǎo)體器件提供靜態(tài)參數(shù)測(cè)量解決方案。
LET-5000半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)能在2200V（可擴(kuò)展為10KV）和1000A （可擴(kuò)展為6000A）的條件下實(shí)現(xiàn)精確測(cè)量、分析功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù)。
LET-5000具有快脈沖能力，并具有優(yōu)異的寬電壓和電流測(cè)量能力。這些功能能夠?qū)ψ钚碌钠骷ɡ?IGBT）和新型材料（例如 GaN 和 SiC）進(jìn)行測(cè)量，可以測(cè)試器件包括：MOSFET、IGBT、二極管、三極管、JET、HEMT、光耦等。
LET-5000由多個(gè)獨(dú)立的高精度源組成，每個(gè)功率源模塊上配備兩個(gè)獨(dú)立的模數(shù)(AD)轉(zhuǎn)換器支持2µs采樣率，每個(gè)模塊上的驅(qū)動(dòng)能夠獨(dú)立精確控制，對(duì)有可能影響器件特性的關(guān)鍵計(jì)時(shí)進(jìn)行精確監(jiān)測(cè)。具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻精確測(cè)量、nA 級(jí)漏電流測(cè)量能力等特點(diǎn)，支持高壓模式下功率器件結(jié)電容測(cè)試，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

系統(tǒng)組成

（1）力鈦科LETAK功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試線、測(cè)試夾具、電腦、上位機(jī)軟件，以及相關(guān)測(cè)試配件等構(gòu)成。

（2）整套系統(tǒng)采用力鈦科自主開發(fā)的測(cè)試主機(jī)，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測(cè)試軟件，可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要，設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù)，以滿足不同測(cè)試需求。測(cè)試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出，并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外，測(cè)試主機(jī)可與探針臺(tái)搭配使用，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯片測(cè)試。
半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

系統(tǒng)參數(shù)

項(xiàng)目	參數(shù)	范圍	準(zhǔn)確度
集電極-發(fā)射極	電壓	300V--3500V	±0.1%
	電流	5A--6000A	±0.1%
	電壓上升沿	5ms	N/A
	電流上升沿	15μs	N/A
	最小電壓脈寬	1ms	±100μs
	電流脈寬	50μs-500μs	±5μs
	漏電流測(cè)試范圍	1nA-100mA
柵極-發(fā)射極	電壓	300mV--300V	±0.1%
	電流	10nA--1A	±0.1%
	最小電壓分辨率	30μA	N/A
	最小電流分辨率	10pA	N/A
	脈沖寬度	200μs--100ms	±10μs
電容測(cè)試	頻率范圍	10Hz-1MHz	±0.1%
	電容值范圍	0.01pF-9.9999F	±0.5%
	信號(hào)電平	10mV-2Vrms	0.06
	偏壓	300V--3500V	±0.1%
溫控	范圍	25℃-200℃	±1℃

LET-5000系列的主要應(yīng)用

■ 功率半導(dǎo)體的來(lái)料檢驗(yàn)
■ 功率半導(dǎo)體的靜態(tài)參數(shù)驗(yàn)證或標(biāo)定
■ 實(shí)驗(yàn)室的器件評(píng)估
■ 功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)檢驗(yàn)和篩選
■ 半導(dǎo)體器件的工藝改進(jìn)評(píng)估
■ 半導(dǎo)體器件的失效分析
■ 半導(dǎo)體器件的教育科研

優(yōu)勢(shì)

硬件優(yōu)勢(shì)>>>

力鈦科LETAK功率器件靜態(tài)參數(shù) 測(cè)試系統(tǒng)，配置有多種測(cè)量單元模塊，模塊化的設(shè)計(jì)測(cè)試方法靈活，能夠極大方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊，適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。

◆ 高電壓達(dá)8000V(最大擴(kuò)展至10kV)

◆ 大電流達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))

◆ 納安級(jí)漏電流μQ 級(jí)導(dǎo)通電阻
◆ 高精度測(cè)量0.1%

◆ 模塊化配置可添加或升級(jí)測(cè)量單元

◆ 測(cè)試效率高、自動(dòng)切換、一鍵測(cè)試

◆ 兼容多種封裝根據(jù)測(cè)試需求定制夾具
測(cè)試夾具

針對(duì)市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體，IGBT、SiC、MOS、GaN 等產(chǎn)品，力鈦科提供整套測(cè)試夾具解決方案，可用于TO 單管，半橋模組等產(chǎn)品的測(cè)試，后期可根據(jù)客戶需求來(lái)定制化相對(duì)應(yīng)封裝。

半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

軟件特點(diǎn)>>>
◆ 測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元，均采用多量程設(shè)計(jì)，測(cè)試精度為0.1%

◆ 柵極-發(fā)射極，最大支持30V/10A 脈沖電流輸出與測(cè) 試，可測(cè)試低至皮級(jí)漏電流

◆ 集電極-發(fā)射極，最大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時(shí)間為15 μs, 且具備電壓高速同步采樣功能

◆ 最高支持8000V電壓輸出，且自帶漏電流測(cè)量功能

◆ 電容特性測(cè)試包括輸入電容、輸出電容、以及反向傳輸電容測(cè)試，頻率最高支持1MHz

軟件界面

測(cè)試器件類型及項(xiàng)目

LET-5000系列測(cè)試器件類型及項(xiàng)目>>>

參數(shù)分類	參數(shù)符號(hào)	參數(shù)說明
三極管	V(BR)CEO	集電極-發(fā)射極擊穿電壓
	V(BR)CBO	集電極-基極擊穿電壓
	V(BR)EBO	發(fā)射極-基極擊穿電壓
	ICBO	集電極-基極截止電流
	IEBO	發(fā)射極-基極截止電流
	VCESAT	集電極-發(fā)射極飽和電壓
	VBESAT	基極-發(fā)射極飽和電壓
	IC	集電極電流
	IB	基極電流
	Ccb	集電極-基極電容
	Ceb	發(fā)射極-基極電容
	hFE	增益
	輸入特性曲線
	輸出特性曲線
	C-V特性曲線
GaN HEMT	V(BR)DSS	柵極-源極擊穿電壓
	VGS(th)	柵極閾值電壓
	IDSS	源極漏電流
	IGSS	柵極漏電流
	RDS(on)	源極-漏極導(dǎo)通電阻
	VSD	體二極管導(dǎo)通電壓
	ISD	體二極管導(dǎo)通電流
	Ciss	輸入電容
	Coss	輸出電容
	Crss	反向傳輸電容
	gfs	跨導(dǎo)
	輸入特性曲線
	輸出特性曲線
	C-V特性曲線
光耦	IF	正向電流
	VF	正向電壓
	V (BR)	反向擊穿電壓
	VCE (sat)	輸出飽和壓降
	ICEO	反向截止電流
	輸入特性曲線
	輸出特性曲線
	C-V特性曲線
	反向截止電流
	輸入電容
	輸出電容
	入出間隔離電容CIO
	輸出電流傳輸比CTR
	輸入特性曲線
	輸出特性曲線
MOSFET	V(BR)DSS	柵極-源極擊穿電壓
	VGS(th)	柵極閾值電壓
	IDSS	源極漏電流
	IGSS	柵極漏電流
	RDS(on)	源極-漏極導(dǎo)通電阻
	VSD	體二極管導(dǎo)通電壓
	ISD	體二極管導(dǎo)通電流
	Ciss	輸入電容
	Coss	輸出電容
	Crss	反向傳輸電容
	gfs	跨導(dǎo)
	輸入特性曲線
	輸出特性曲線
	C-V特性曲線
IGBT	VCES	集電極-發(fā)射極電壓
	V(BR)CES	集電極-發(fā)射極擊穿電壓
	VCEsat	集電極-發(fā)射極飽和電壓
	IC	集電極電流
	ICES	集電極截止電流
	VGES	柵極-發(fā)射極電壓
	VGE (th)	柵極-發(fā)射極閾值電壓
	IGES	柵極漏電流
	Ciss	輸入電容
	Coss	輸出電容
	Crss	反向傳輸電容
	gfs	跨導(dǎo)
	輸入特性曲線
	輸出特性曲線
	C-V特性曲線
二極管	VR	反向擊穿電壓
	IR	反漏電流
	VF	正向電壓
	IF	正向電流
	Cd	電容值
	I-V特性曲線
	C-V特性曲線

訂購(gòu)

LET-5000系列訂購(gòu)信息>>>

型號(hào)	準(zhǔn)確度	最大電壓	最大電流
LET-5110	±0.1%	1200v	1000A
LET-5210	±0.1%	2200V	1000A
LET-5220	±0.1%	2200V	2000A
LET-5310	±0.1%	3500V	1000A
LET-5320	±0.1%	3500V	2000A
LET-5340	±0.1%	3500V	4000A
LET-5820	±0.1%	8000V	2000A
LET-5860	±0.1%	8000V	6000A

LET-5000系列系統(tǒng)硬件夾具選件>>>

型號(hào)	說明
LET-TO-247plus-3L	TO-247plus-3L單管器件支持，含治具板;
LET-TO-263	TO-263單管器件支持，含治具板;
LET-TO-3P	TO-3P單管器件支持，含治具板;
LET-PDFN5X6	PDFN5X6單管器件支持，含治具板;
LET-SOT23	SOT23單管器件支持，含治具板;
LET-SOT323	SOT323單管器件支持，含治具板;
LET-SOP8	SOP8單管器件支持，含治具板;
LET-1B	EasyPack 1B模塊支持，含治具板;
LET-2B	EasyPack 2B模塊支持，含治具板;
LET-PIM3	EconoPIM3模塊支持，含治具版;
LET-XXX	客戶定制治具板

關(guān)鍵詞：轉(zhuǎn)換器

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產(chǎn)品名稱	參考價(jià)	地區(qū)	公司名稱	更新時(shí)間
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