功能及主要參數(shù)：
　　適用碳化硅二極管、IGBT模塊/MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。
　　主要技術(shù)參數(shù)：
　　IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試
　　開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試條件
　　Ic：50A～1000A     Vce：200V～2000V
　　Vgs：-10V～＋20V  Rg：1R～100R可調(diào)(可選擇4檔及外接)
　　負(fù)　　載：感性負(fù)載阻性負(fù)載可切換
　　電感范圍：100uH，200uH，500uH，1000uH
　　電阻范圍：0.5R、1R、2R、4R
　　IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試參數(shù)
　　開(kāi)通延遲td(on): 20nS -10uS     
　　上升時(shí)間tr:    20nS -10uS
　　開(kāi)通能量Eon：  0.1-1000mJ                
　　關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)：20 nS -10uS  
　　下降時(shí)間 tf： 20nS -10uS                   
　　關(guān)斷能量Eoff：0.1-1000mJ
　　二極管反向恢復(fù)特性測(cè)試
　　FRD測(cè)試條件：正向電流IF：50A～1000A；反向電壓 Vr：200V~2000V；-di/dt：100A/us～10000A/us ；負(fù)載：感性負(fù)載可選
　　電感范圍：100uH，200uH，500uH，1000uH
　　FRD測(cè)試參數(shù)
　　反向恢復(fù)時(shí)間trr：20nS -2uS
　　反向恢復(fù)電荷Qc：10nC~10uC；
　　反向恢復(fù)電流Irm：50A~1000A
　　反向恢復(fù)損耗Erec：0.1mJ～1000mJ
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
　　國(guó)內(nèi)能對(duì)二極管、IGBT模塊、MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)實(shí)施測(cè)試的設(shè)備。