型號(hào)

規(guī)格

TGZ系列Z向校準(zhǔn)標(biāo)樣，TGZ1/TGZ2/TGZ3/TGZ4/TGS1，Z軸校準(zhǔn)及非線性校準(zhǔn)

Si 基底，結(jié)構(gòu)在SiO2層

周期：3±0.1 µm，尺寸：5x5x0.5 mm，有效區(qū)域：中心：3x3 mm

可選配：PTB可溯源證書

TGZ1

20.0±1.5 nm（Height）

TGZ2

110±2 nm（Height）

TGZ3

520±3 nm（Height）

TGZ4

1517± 20nm（Height）

TGT1：SPM針尖3-D校準(zhǔn)標(biāo)樣NT-MDT，針尖形狀，曲率半徑校準(zhǔn)，降解/污染檢測(cè)

Si 基底

周期：3±0.05 µm，尺寸：5x5x0.5 mm，有效區(qū)域：中心：2x2mm

TGT1

尺寸：角度：50+-10°,半徑：<=10nm，高度：0.3-0.5µm

TGG1：SPM X，Y方向校準(zhǔn)標(biāo)樣

SPM X、Y方向校準(zhǔn)，掃描器橫向垂直方向非線性檢測(cè)，角度畸變檢測(cè)，針尖表征

Si 基底

周期：3±0.05 µm，尺寸：5x5x0.5 mm，有效區(qū)域：中心：3x3mm

TGG1

1-D 三角臺(tái)階標(biāo)樣，精確的線性，角度

邊緣角度70°，邊緣半徑：≤10nm

TGX1：SPM橫向校準(zhǔn)，針尖高長徑比

掃描器橫向檢測(cè) 橫向非線性、滯后、蠕變和交叉耦合效應(yīng)的檢測(cè) 針尖長徑比標(biāo)定

Si 基底

周期：3±0.05 µm，尺寸：5x5x0.5 mm，有效區(qū)域：中心：3x3mm

TGX1

棋盤狀的方柱陣列，具有鋒利的咬邊

高度：～0.6 µm，邊緣半徑：≤10nm

TipCheck

SPM針尖形狀校準(zhǔn)標(biāo)樣，Budgetsensors，針尖形狀，曲率半徑校準(zhǔn)，降解/污染檢測(cè)

尺寸：5x5x0.3 mm，有效區(qū)域：中心：5x5mm

TipCheck

Tipcheck金字塔納米結(jié)構(gòu)

50-100nm高度，50-100nm底部寬度

最小邊緣：≤5nm

SHS系列臺(tái)階標(biāo)樣：SHS系列臺(tái)階標(biāo)樣

Si 基底，多種結(jié)構(gòu)復(fù)合：圓、長條、方形

基底尺寸：8.0x8.2x0.5 mm

SHS-01

結(jié)構(gòu)材質(zhì)：SiO2，高度：100nm

SHS-1

結(jié)構(gòu)材質(zhì)：SiO2，高度：1000nm

STEP-OX-0.1

結(jié)構(gòu)材質(zhì)：SiO2，鍍層材質(zhì)：Cr，高度：100nm

STEP-OX-0.2

結(jié)構(gòu)材質(zhì)：SiO2，鍍層材質(zhì)：Cr，高度：100nm

STEP-OX-0.5

結(jié)構(gòu)材質(zhì)：SiO2，鍍層材質(zhì)：Cr，高度：500nm

STEP-OX-1

結(jié)構(gòu)材質(zhì)：SiO2，鍍層材質(zhì)：Cr，高度：1000nm

STEP-Si-5

結(jié)構(gòu)材質(zhì)：Si，高度：5000nm

STEP-Si-10

結(jié)構(gòu)材質(zhì)：Si，高度：10000nm

STEP-Si-25

結(jié)構(gòu)材質(zhì)：Si，高度：25000nm

PA01

SPM針尖形狀校準(zhǔn)標(biāo)樣，針尖形狀，曲率半徑校準(zhǔn)，降解/污染檢測(cè)

尺寸：5x5x0.3 mm，有效區(qū)域：中心：5x5mm

PA01

PA 01金字塔納米結(jié)構(gòu)

50-100nm高度，50-100nm底部寬度

最小邊緣：≤5nm

TGF11 SPM掃描器垂直方向非線性檢測(cè)

掃描器垂直方向非線性檢測(cè),橫向力校準(zhǔn)，帶小球硅針尖懸臂校準(zhǔn)

尺寸：5x5x0.3 mm，有效區(qū)域：中心：3x3mm

TGF11

TGF11梯形結(jié)構(gòu)，54.74°

高度：1.75µm，周期：10±0.1 µm

HS-MG系列標(biāo)樣，HS-20MG/HS-100MG/HS-500MG，Z軸校準(zhǔn)及非線性校準(zhǔn)及垂直橫向掃描器校準(zhǔn)

Si 基底，結(jié)構(gòu)在SiO2層，不同結(jié)構(gòu)陣列，周期：5&10µm，尺寸：5x5 mm

圓柱/孔：500 µm x500 µm，線條： 500 µm x500 µm，方柱/孔：1 x1mm

HS-20MG

20 nm（Height）

HS-100MG

100 nm（Height）

HS-500MG

500 nm（Height）

CS-20NG系列標(biāo)樣，Z軸校準(zhǔn)及非線性校準(zhǔn)及垂直橫向掃描器校準(zhǔn)

Si 基底，結(jié)構(gòu)在SiO2層，不同結(jié)構(gòu)陣列，尺寸：5x5 mm

圓柱/孔：（500nm pitch）100 µm x100 µm，線條：(5 µm pitch) 500 µm x500 µm，方柱/孔：(10µm pitch)1 x1mm

CS-20MG

20 nm（Height）

TGX：SPM橫向校準(zhǔn)，針尖高長徑比，掃描器橫向檢測(cè)，橫向非線性、滯后、蠕變和交叉耦合效應(yīng)的檢測(cè)

Si 基底，不同結(jié)構(gòu)陣列，尺寸：5x5 x0.3 mm，邊緣半徑：≤5nm，周期3±0.1 µm

TGX

1µm（Height）

TGXYZ系列標(biāo)樣：SPM Z軸校準(zhǔn)及非線性校準(zhǔn)及垂直橫向掃描器校準(zhǔn)

Si 基底，結(jié)構(gòu)在SiO2層，不同結(jié)構(gòu)陣列，尺寸：5x5x0.3 mm

圓柱/孔：500 µm x500 µm，線條：500 µm x500 µm，方柱/孔：1 x1mm

TGXYZ01

20.0±2 nm（Height）

TGXYZ02

100±3 nm（Height）

TGXYZ03

500±3 nm（Height）

TDG01：X、Y方向校準(zhǔn)，掃描器橫向垂直方向非線性檢測(cè)，角度畸變檢測(cè)，針尖表征

Si 基底，鍍Al，平行脊，尺寸：12.5mm直徑，厚度：2.5mm，有效區(qū)域：9mm直徑

TGX

>55nm（Height）