半導(dǎo)體芯片HAST老化試驗(yàn)機(jī)

產(chǎn)品詳情

本設(shè)備專(zhuān)為半導(dǎo)體芯片高加速應(yīng)力老化測(cè)試設(shè)計(jì)，采用不結(jié)露高壓高溫高濕環(huán)境，模擬芯片長(zhǎng)期使用下的工作條件。整機(jī)采用不銹鋼內(nèi)膽與防爆門(mén)鎖結(jié)構(gòu)，配備高精度溫濕度傳感器與PLC智能控制系統(tǒng)，支持恒定、循環(huán)及斜率老化模式。設(shè)備符合JESD22-A110、AEC-Q100等國(guó)際可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，適用于晶圓級(jí)封裝、引線鍵合、MEMS及封裝芯片的早期失效篩選與壽命評(píng)估。

半導(dǎo)體芯片HAST老化試驗(yàn)機(jī)

用途

主要用于半導(dǎo)體芯片在研發(fā)、鑒定及批量抽檢階段的可靠性驗(yàn)證。具體包括：評(píng)估芯片封裝抗?jié)駳鉂B透能力、金屬電化學(xué)腐蝕耐受性、內(nèi)部界面分層風(fēng)險(xiǎn)以及引線框架與鍵合點(diǎn)的機(jī)械強(qiáng)度退化。廣泛應(yīng)用于IC設(shè)計(jì)公司、封測(cè)廠、車(chē)規(guī)級(jí)芯片認(rèn)證及電子領(lǐng)域，幫助快速暴露芯片在高溫高濕高壓環(huán)境下的潛在失效模式，縮短產(chǎn)品上市前的可靠性測(cè)試周期。

技術(shù)參數(shù)

• 溫度范圍：105℃ ～ 142℃（飽和蒸汽模式）/ 105℃ ～ 130℃（不飽和模式）

• 濕度范圍：75% RH ～ 100% RH

• 壓力范圍：0.02 MPa ～ 0.21 MPa（表壓）

• 溫濕度偏差：溫度±0.5℃，濕度±3% RH

• 內(nèi)箱容積：30L / 60L / 120L（可選）

• 電源：AC 220V / 380V，50Hz

箱體結(jié)構(gòu)與材質(zhì)

外箱采用冷軋鋼板噴塑處理，耐腐蝕且易清潔；內(nèi)箱及樣品架均為SUS316L不銹鋼，耐高壓蒸汽長(zhǎng)期沖擊。門(mén)體配有機(jī)械式防爆鏈及硅膠耐壓密封圈，門(mén)鎖為手動(dòng)防轉(zhuǎn)式設(shè)計(jì)，確保運(yùn)行中無(wú)法開(kāi)啟。箱體底部設(shè)不銹鋼加熱水槽及自動(dòng)補(bǔ)水水箱，側(cè)面集成電磁閥、安全泄壓閥與溫度壓力雙重保護(hù)器。頂部配置干燥空氣吹掃系統(tǒng)，用于試驗(yàn)結(jié)束后快速降壓除濕。

工作原理

采用飽和蒸汽加壓方式，通過(guò)底部加熱器將去離子水加熱至設(shè)定溫度產(chǎn)生水蒸氣，同時(shí)利用空氣壓縮機(jī)向密閉箱內(nèi)補(bǔ)入潔凈空氣，使內(nèi)部壓力逐步上升至目標(biāo)值?？刂葡到y(tǒng)根據(jù)壓力傳感器反饋，動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)加熱功率與排氣閥開(kāi)度，維持穩(wěn)定的溫濕度與壓力平衡。在不結(jié)露模式下，通過(guò)調(diào)節(jié)干空氣與飽和蒸汽比例，使箱內(nèi)相對(duì)濕度低于100%但保持高壓狀態(tài)，避免冷凝水直接滴落芯片表面影響測(cè)試結(jié)果。

性能特點(diǎn)

1. 不結(jié)露功能：有效避免冷凝水對(duì)芯片引腳造成短路或電遷移干擾。

2. 快速升降溫：升溫至142℃約45分鐘，試驗(yàn)結(jié)束強(qiáng)制風(fēng)冷降壓時(shí)間＜30分鐘。

3. 雙超溫保護(hù)：獨(dú)立機(jī)械式限溫器與電子超溫報(bào)警，防止溫度失控。

4. 自動(dòng)補(bǔ)水：低水位自動(dòng)停止加熱并報(bào)警，杜絕干燒。

5. 數(shù)據(jù)記錄：實(shí)時(shí)曲線記錄溫濕度與壓力，支持USB導(dǎo)出。