濺射工藝（僅反向濺射工況）

PLAZMARK晶圓型等離子指示片核心材質(zhì)與核心優(yōu)勢：

基材：聚酰亞胺耐高溫基板

最高耐受 200℃腔體高溫，真空環(huán)境下不變形、不翹曲，適配等離子灰化、刻蝕、濺射等高溫真空工藝；低翹曲度，貼合晶圓托盤平面。

顯色層：全新無機變色顏料

區(qū)別傳統(tǒng)有機指示劑，高溫下無分解、無褪色；接觸電離等離子后產(chǎn)生穩(wěn)定色差，色差數(shù)值可對應換算等離子電子密度，實現(xiàn)工藝定量管控，不只是簡單定性判斷。

超低出氣配方

產(chǎn)品出氣速率做到最小化，不會在真空腔體釋放揮發(fā)性雜質(zhì)，避免污染晶圓、破壞真空潔凈度，滿足半導體高潔凈制程標準。

無背膠一體化晶圓造型

外形和生產(chǎn)所用襯底晶圓一致，無需粘貼、無需額外固定夾具，直接放置載片盤即可使用，無殘膠污染風險。

核心技術(shù)功能兩點：

精準檢測氬電離等離子（核心差異化優(yōu)勢）

常規(guī)氧氣型指示劑僅對氧自由基等離子有效，無法識別氬等離子；本款可高效檢出氬離子轟擊產(chǎn)生的電離等離子，適配氬洗、反向濺射等氬氣主導工藝。

快速完成片內(nèi)等離子均勻性評估

整片指示片同步參與晶圓制程，工藝結(jié)束后整片顯色區(qū)域可直觀判斷腔體內(nèi)等離子分布是否均勻，無需復雜儀器；搭配色差儀可量化整片不同位置等離子電子密度，快速定位設備功率不均、氣體偏流、腔體漏氣等故障。

免特殊處理，兼容自動化產(chǎn)線

標準晶圓尺寸，適配半導體全自動真空設備、晶圓傳送機，上下料流程和硅片一致，無需改造設備、無需人工特殊操作，適配批量產(chǎn)線日常點檢。

兼顧多類等離子工況

氬等離子、氧自由基等離子均可檢測；自由基主導的工藝場景下，可搭配氧指示劑做交叉驗證，覆蓋多元制程需求。

等離子處理后剩余的色調(diào)因所用氣體類型而異。