GKD-2雙面光刻機(jī)

本機(jī)是專為生產(chǎn)中、大規(guī)模集成電路、CCD、表面波、磁泡、微波等器件的光刻需要而設(shè)計(jì)制造的。它可以將兩塊掩模上的各種圖案經(jīng)紫外光束的曝光，從上下兩面分別或同時(shí)轉(zhuǎn)印至硅片或其它基片的正反面上，再經(jīng)其它工序的處理，從而獲得完整的微電子器件。
　　本機(jī)為適應(yīng)各電子器件廠對(duì)GKD-2型光刻機(jī)的使用習(xí)慣，故保留了GKD-2型光刻機(jī)部分操作程序，尤其是為了提高光刻的質(zhì)量，本機(jī)的結(jié)構(gòu)、精度以及性能等方面作了大幅度的改進(jìn)。為減少使用者的疲勞，顯微鏡采用雙目觀察和平視場(chǎng)物鏡，成像清晰，景深較長(zhǎng)。由于本機(jī)具有上述種種特點(diǎn)，是成批生產(chǎn)微電子器件較為適合的光刻設(shè)備。

主要技術(shù)參數(shù)：

1、適用的掩模尺寸：100×100×2～3mm或75×75×2～3mm

2、適用的基片幅面尺寸：Φ50或Φ75mm

3、曝光分辨率：3～4um

4、掩模與硅片之間的相對(duì)位移范圍：X、Y各≥±2.5mm；θ（旋轉(zhuǎn)）≥±5°

5、工作臺(tái)綜合移動(dòng)范圍：X±37.5mm、Y±20mm

6、曝光系統(tǒng)：GCQ200W超高壓球形汞燈，曝光波長(zhǎng)：300～436nm

7、曝光系統(tǒng)能量不低于：波長(zhǎng)407nm；7mW/cm2

8、曝光系統(tǒng)的照明不均勻性在Φ75mm范圍內(nèi)：±5%

9、顯微鏡的照明波長(zhǎng)：≈545nm

10、曝光時(shí)間控制范圍：0.01秒～99.99分

11、雙目顯微鏡的調(diào)焦范圍：13mm

12、雙目顯微鏡的放大倍率：①成對(duì)目鏡，共兩種：10 X、16 X；②平視場(chǎng)物鏡，共兩種：6 X、9 X；③總合成放大倍率：60 X～144 X

13、真空接觸壓力：≥0.7kgf

14、供電電源：①頻率：50HZ（Z頻）；②額定輸入電壓：190V～230V；③功率消耗：≤300VA

15、外形尺寸：800×1440×650mm

16、重量：86kg