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外媒曝荷蘭大臣透露拒向阿斯麥發(fā)對(duì)華出口許可原因，但避答是否因美國(guó)壓力2024/07/22: 【網(wǎng)報(bào)道】據(jù)路透社20日?qǐng)?bào)道，荷蘭外貿(mào)與發(fā)展合作大臣在回答議會(huì)質(zhì)詢(xún)時(shí)聲稱(chēng)，因擔(dān)心光刻機(jī)生產(chǎn)企業(yè)阿斯麥（ASML）的芯片設(shè)備被用于中國(guó)的軍事目的，荷蘭政府最近決定拒絕向該公司發(fā)放出口許可證。對(duì)于以軍事等各種說(shuō)辭為借口搞對(duì)華科技的行為，中方不止一次警告有關(guān)方面，不要做嚴(yán)重沖擊國(guó)際產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈的安全和穩(wěn)定的舉動(dòng)。荷蘭光刻機(jī)生產(chǎn)企業(yè)阿斯麥（ASML）資料圖圖自外媒路透社稱(chēng)，該媒體看到荷蘭外貿(mào)與發(fā)展合作大臣杰弗里·范萊文（GeoffreyvanLeeuwen）在2月5日一份報(bào)告中回答議員的質(zhì)疑，宣稱(chēng)中國(guó)將

芯片內(nèi)部這么小，100多億個(gè)晶體管怎么裝進(jìn)去的？2024/07/22: 來(lái)源：湖南日?qǐng)?bào)芯片藏身于城市中隨處可見(jiàn)的電子設(shè)備，智能手機(jī)、電腦、家電等都離不開(kāi)它的控制。小小的芯片集成了龐大規(guī)模的電路。把芯片放大，可以看到其內(nèi)部存在著密密麻麻的線路排布，就像密集交織的高速公路，仿佛在極小的尺寸上建造了一座井然有序的電路城市。芯片結(jié)構(gòu)圖（肉眼和微觀）|圖源pixabay芯片內(nèi)部有多小呢？如今我們?cè)诠I(yè)上運(yùn)用的芯片最小制程，也就是我們?nèi)祟?lèi)能創(chuàng)造出的微小尺寸，已經(jīng)達(dá)到3nm，芯片內(nèi)部可以集成上百億個(gè)晶體管。芯片制造的“多層”思路無(wú)數(shù)納米級(jí)的電子元件在芯片上錯(cuò)落排布，是將每一個(gè)元件

掃描電鏡的介紹2024/07/22: 電子顯微鏡利用電子和物質(zhì)的相互作用，可以獲取被測(cè)樣品本身的各種物理、化學(xué)性質(zhì)，如形貌、成份、結(jié)構(gòu)等信息，是材料研究、質(zhì)量控制與失效分析等領(lǐng)域應(yīng)用的*工具。作為一種應(yīng)用廣泛的科學(xué)儀器，鎢燈絲掃描電鏡具有性?xún)r(jià)比高、易于維護(hù)、操作相對(duì)簡(jiǎn)單以及對(duì)場(chǎng)地要求較小等特點(diǎn)，便于大眾使用。

重磅！“我們需要更大的GPU”，英偉達(dá)宣布推出AI芯片，成本和能耗較前代改善25倍2024/07/22: 號(hào)稱(chēng)今年頭號(hào)人工智能（AI）領(lǐng)域大會(huì)的英偉達(dá)2024GTCAI大會(huì)于美東時(shí)間3月18日周一拉開(kāi)帷幕。今年是英偉達(dá)時(shí)隔五年讓年度GTC重回線下，也是此前分析認(rèn)為英偉達(dá)要“拿出點(diǎn)真家伙”的AI盛會(huì)。當(dāng)?shù)貢r(shí)間周一下午，英偉達(dá)創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛在美國(guó)加州圣何塞SAP中心進(jìn)行主題為“面向的1#AI峰會(huì)”（1#AIConferenceforDevelopers）演講。黃仁勛介紹了運(yùn)行AI模型的新一代芯片和軟件。英偉達(dá)正式推出名為Blackwell的新一代AI圖形處理器（GPU），預(yù)計(jì)將在今年晚些時(shí)候發(fā)貨。

半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)點(diǎn)(一)2024/07/22: (1)能級(jí)和能帶我們可以把原子想象成行星,圍繞原子周?chē)碾娮酉胂蟪蓢@行星旋轉(zhuǎn)的衛(wèi)星。銀河系中當(dāng)兩個(gè)行星的距離足夠遠(yuǎn)時(shí)，可以認(rèn)為這些行星有相同的能量。當(dāng)兩個(gè)行星逐漸接近時(shí)，由于行星之間的交互作用，包括其中任意兩個(gè)行星間的吸引力與排斥力，將造成能級(jí)的移動(dòng)。有別于只有兩個(gè)行星時(shí)能級(jí)只是一分為二，當(dāng)銀河系中有很多個(gè)行星相互靠近時(shí)，此時(shí)能級(jí)將分裂成N個(gè)分離但接近的能級(jí)。當(dāng)N很大時(shí)，將形成連續(xù)的能帶，此N個(gè)能級(jí)可延伸幾個(gè)電子伏特，視行星的間距而定。下圖是描述行星（原子）相互之間的距離和能級(jí)的關(guān)系：現(xiàn)在回到

半導(dǎo)體的起源、分類(lèi)以及材料2024/07/22: 一、半導(dǎo)體的起源1946年1月，彼時(shí)新中國(guó)尚未成立，國(guó)共還處在內(nèi)戰(zhàn)的關(guān)鍵時(shí)刻，遠(yuǎn)在太平洋彼岸的美國(guó)BELL實(shí)驗(yàn)室正式成立了一個(gè)半導(dǎo)體研究小組，小組內(nèi)有3名核心成員，分別是Schokley、Bardeen和Brattain，俗稱(chēng)“晶體管三劍客”。三劍客有自己的研究?jī)?yōu)勢(shì)，Bardeen提出了表面態(tài)理論，Schokley給出了實(shí)現(xiàn)放大器的基本設(shè)想，Brattain設(shè)計(jì)了實(shí)驗(yàn)。在三劍客成立的次年，1947年巴丁(Bardeen)和布萊登(Brattain)發(fā)明了點(diǎn)接觸(point?contact)晶體管

半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)點(diǎn)(二)2024/07/22: 半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)半導(dǎo)體導(dǎo)帶中的傳導(dǎo)電子并不與任何特殊晶格或施主位置結(jié)合，因此基本上它們是屬于自由粒子。在熱平衡下，一個(gè)傳導(dǎo)電子存在熱運(yùn)動(dòng)(速度vth)。在室溫下，硅及砷化鎵中的電子熱運(yùn)動(dòng)速度約為10E7cm/s。半導(dǎo)體中的電子會(huì)在所有的方向作快速移動(dòng)，如下圖所示。當(dāng)一個(gè)小電場(chǎng)E施加于半導(dǎo)體樣品上時(shí)，每一個(gè)電子會(huì)從電場(chǎng)上受到一個(gè)qE的作用力，碰撞時(shí)，沿電場(chǎng)的反方向加速。因此，一個(gè)額外的速度成分將再加到熱運(yùn)動(dòng)的電子上，此額外速度成分稱(chēng)為漂移速度(driftvelocity)。一個(gè)電子由于隨機(jī)熱運(yùn)動(dòng)

倒裝芯片(Flip Chip)技術(shù)（1）2024/07/22: 一、半導(dǎo)體封裝技術(shù)簡(jiǎn)介從事半導(dǎo)體行業(yè)，尤其是半導(dǎo)體封裝行業(yè)的人，總繞不開(kāi)幾種封裝工藝，那就是芯片粘接、引線鍵合、倒裝連接技術(shù)。尤其以引線鍵合(WireBonding)及倒裝連接(FlipChipBonding)常見(jiàn)，因?yàn)檩d帶連接技術(shù)(TAB)有一定的局限性，封裝上逐漸淘汰了這種技術(shù)。倒裝芯片技術(shù)是通過(guò)芯片上的凸點(diǎn)直接將元器件朝下互連到基板、載體或者電路板上。引線鍵合的連接方式是將芯片的正面朝上，通過(guò)引線(通常是金線)將芯片與線路板連接。引線鍵合、載帶連接、倒裝連接各有特點(diǎn)。其中倒裝連接以結(jié)構(gòu)緊湊

碳化硅晶片為什么存在C面和硅面?2024/07/21: SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本結(jié)構(gòu)單元為Si-C四面體。舉個(gè)例子，Si原子直徑大，相當(dāng)于蘋(píng)果，C原子直徑小，相當(dāng)于橘子，把數(shù)量相等的橘子和蘋(píng)果堆在一起就成了SiC晶體。SiC是一種二元化合物，其中Si-Si鍵原子間距為3.89?，這個(gè)間距如何理解呢？目前市面上逼的光刻機(jī)光刻精度3nm，就是30?的距離，光刻精度是原子距離的8倍。Si-Si鍵能大小為310kJ/mol，可以理解鍵能是把這兩個(gè)原子拉開(kāi)的力度，鍵能越大，

倒裝芯片（Flip Chip）技術(shù)（3）2024/07/21: 第三步：倒裝芯片組裝此工序是將完成凸點(diǎn)制作的芯片與載板進(jìn)行倒裝互聯(lián)。熱壓倒裝技術(shù)是芯片與載板連接的常用方法，最合適的凸點(diǎn)材料是金，凸點(diǎn)可以通過(guò)傳統(tǒng)的電解鍍金方法生成，或者采用釘頭凸點(diǎn)方法，后者就是引線鍵合技術(shù)中常用的凸點(diǎn)形成工藝。對(duì)于熱壓倒裝技術(shù)，由于壓力較大，溫度也較高，這種工藝僅適用于剛性基底，如氧化鋁或硅。另外，基板必須保證較高的平整度，熱壓頭也要有較高的平行對(duì)準(zhǔn)精度。為了避免半導(dǎo)體材料受到不必要的損害，施加壓力時(shí)應(yīng)該有一定的梯度。第四步：底部填充與固化倒裝連接后已完成了芯片與基板的連接，

倒裝芯片（Flip Chip）技術(shù)（2）2024/07/19: 倒裝技術(shù)技術(shù)細(xì)節(jié)在半導(dǎo)體芯片倒裝連接的過(guò)程中，有許多前后處理的工序，以下詳細(xì)介紹倒裝工藝的相關(guān)細(xì)節(jié)：步：凸點(diǎn)下金屬化（UBM，underbumpmetallization）倒裝連接步需在芯片表面制作凸點(diǎn)技術(shù)，倒裝連接的本質(zhì)是芯片上的凸點(diǎn)與基板上的凸點(diǎn)(凹槽)連接，半導(dǎo)體表面的金屬化有以下幾種方式：(a)濺射:用濺射的方法一層一層地在硅片上沉積薄膜，然后通過(guò)照相平版技術(shù)形成UBM圖樣，然后刻蝕掉不是圖樣的部分。(b)蒸鍍:利用掩模，通過(guò)蒸鍍的方法在硅片上一層一層地沉積。這種選擇性的沉積用的掩?？捎?

集成電路制造工藝概述2024/07/18: 集成電路工藝主要包括如下幾點(diǎn)內(nèi)容：圖形轉(zhuǎn)換，摻雜，制膜。圖形轉(zhuǎn)換：將設(shè)計(jì)在掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶片上，工藝主要包括光刻與刻蝕。摻雜：根據(jù)設(shè)計(jì)需要，將各種雜質(zhì)摻雜在需要的位置上，形成晶體管、接觸等。工藝主要包括離子注入、退火和擴(kuò)散。制膜：制作各種材料的薄膜，工藝主要包括氧化、CVD和PVD。1.1圖形轉(zhuǎn)換：光刻技術(shù)。光刻三要素：光刻膠、掩膜版和光刻機(jī)。光刻膠：又稱(chēng)光致抗蝕劑，受到特定波長(zhǎng)光線的作用后，導(dǎo)致其化學(xué)結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，使光刻膠在某種特定溶液中的溶解特性改變。正膠：曝光后可溶，分辨率高，

集成電路中的靜態(tài)功耗指的是什么？2024/07/18: 芯片的靜態(tài)功耗是指芯片在沒(méi)有進(jìn)行任何開(kāi)關(guān)活動(dòng)時(shí)消耗的功率。它與芯片的動(dòng)態(tài)功耗不同，后者是在芯片進(jìn)行信號(hào)切換、運(yùn)算和數(shù)據(jù)傳輸?shù)然顒?dòng)時(shí)產(chǎn)生的功耗。靜態(tài)功耗主要由以下幾個(gè)方面構(gòu)成：1.漏電流功耗（LeakagePower）漏電流是靜態(tài)功耗的主要來(lái)源之一，包括以下幾種類(lèi)型：柵漏電流（GateLeakageCurrent）：由于柵極氧化層的厚度非常薄，電子可以通過(guò)隧穿效應(yīng)穿過(guò)柵極，產(chǎn)生漏電流。次閾值漏電流（Sub-thresholdLeakageCurrent）：當(dāng)晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，盡管柵極電壓低于閾

什么是超快激光？2024/07/14: 在工業(yè)上，激光按出光時(shí)間，可分為連續(xù)波、準(zhǔn)連續(xù)、短脈沖、超短脈沖四類(lèi)。“超快激光”，是指輸出激光的脈沖寬度在10-12s即皮秒級(jí)別，或小于皮秒級(jí)別的脈沖激光。什么是脈沖寬度？就是激光發(fā)射的時(shí)間長(zhǎng)短。想象一下，光在如此短的時(shí)間，能跑多遠(yuǎn)？假設(shè)地球上有個(gè)人將激光筆對(duì)著月亮，大概1.3秒后，激光就會(huì)達(dá)到月球表面。當(dāng)然得理想化一點(diǎn)，光沒(méi)有散射或損耗。而對(duì)于1皮秒的時(shí)間，光也就只能走頭發(fā)絲打個(gè)結(jié)的距離了。下面是時(shí)間單位換算的公式，可以看出1皮秒的時(shí)間有多短：1秒(s)=10-0s=1s1納秒(ns)=10

晶圓的生產(chǎn)工藝及制造流程2024/07/14: 接觸半導(dǎo)體行業(yè)的人，經(jīng)常聽(tīng)到的一個(gè)詞叫——晶圓，也常叫做Wafer。從外觀上看晶圓是這樣的：晶圓為什么是圓形呢？那就要從晶圓的制造工藝開(kāi)始談起了，我們知道制作晶圓的材料是硅，在自然界中硅元素有很多種形態(tài)，比如沙子是氧化硅，玻璃是硅酸鹽。要將日常生活中的砂子制作成半導(dǎo)體材料，需要將砂子中的硅元素提煉出來(lái)。怎么提煉呢？一個(gè)字——燒！赤壁之戰(zhàn)決定勝負(fù)的是火，芯片制造決定成敗的也是火，古往今來(lái)，道理都是相通的。制造硅的原始材料是一種稱(chēng)為石英巖的高純度硅砂(SiO2)。將硅砂與碳化硅混合熔煉得到固體硅：S

芯片的內(nèi)部構(gòu)造，你知道多少？2024/07/13: 芯片看上去都是黑色方片狀。有時(shí)候，它還會(huì)有銀色的金屬蓋板（加強(qiáng)保護(hù)，也利于散熱）。例如我們的CPU：芯片是經(jīng)過(guò)封裝（芯片制造流程的一道工序）之后，才變成了這樣。我們把“殼”拿掉，才能真正看到芯片的內(nèi)部核心。用顯微鏡放大來(lái)看，是這樣的：外圍一圈，是引腳（針腳）。細(xì)細(xì)的線，是引線。中間方形的部分，才是芯片真正的電路。如果繼續(xù)放大來(lái)看，是這樣的：換成3D效果，是這樣的：沒(méi)錯(cuò)，都是立體的，有很多很多層，密密麻麻，就像一個(gè)超級(jí)迷宮，也像一座未來(lái)城市。圖上，一根一根的，都是連線。而它們連接的對(duì)象，就是晶體管

什么是晶體？2024/07/12: 在材料行業(yè)或半導(dǎo)體行業(yè)工作和學(xué)習(xí)的人，總繞不開(kāi)一個(gè)詞——晶體！什么是晶體？見(jiàn)的就是石英了，晶瑩剔透，看上去就很直觀。這是我們?nèi)搜勰芸吹降暮暧^結(jié)構(gòu)，晶體的定義實(shí)質(zhì)上是從微觀上定義的。專(zhuān)業(yè)的術(shù)語(yǔ)說(shuō)：?jiǎn)尉侵附Y(jié)構(gòu)基元在三維空間按長(zhǎng)程有序排列而成的固態(tài)物質(zhì)。通俗的理解就是，晶體就是物質(zhì)的原子結(jié)構(gòu)在排列組合上有規(guī)律，就像下面這樣，晶體宏觀上看到的是這樣：如果能把這個(gè)晶體細(xì)分到原子級(jí)別，里面的原子排列是這樣：原子長(zhǎng)程有序指的是所有的原子都是按一定的規(guī)律進(jìn)行排列。為了把這些讓這種排序更直觀，可以把原子結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化

強(qiáng)的光刻機(jī)為何出現(xiàn)在荷蘭，而不是美國(guó)，日本或者德國(guó)呢？2022/06/03: 在現(xiàn)在的發(fā)展當(dāng)中，科技占據(jù)了主要的優(yōu)勢(shì)，而在現(xiàn)代社會(huì)里，要說(shuō)有影響力的那一定是芯片的制造。在現(xiàn)在的芯片制造當(dāng)中，其實(shí)擁有實(shí)力的就是兩個(gè)國(guó)家，一個(gè)是荷蘭，一個(gè)是日本，這兩個(gè)國(guó)家的芯片制造擁有比較長(zhǎng)時(shí)間的一些累積經(jīng)驗(yàn)，并且在制造上也更有優(yōu)勢(shì)。但是即使是這樣，強(qiáng)的光刻機(jī)依然出現(xiàn)在了荷蘭，這就讓大家有一個(gè)疑問(wèn)，為什么的光刻機(jī)不出現(xiàn)在美國(guó)，日本或者德國(guó)呢？首先我們來(lái)看一下，之前我們有介紹到芯片制造技術(shù)的兩個(gè)國(guó)家，就是荷蘭和日本，那之所以的光刻金沒(méi)有出現(xiàn)在日本的原因，就在于日本的光刻機(jī)技術(shù)有一定的缺陷。他們

3月狂掙242.9億元！光刻機(jī)ASML財(cái)報(bào)公布2022/06/03: 中關(guān)村在線消息：近日根據(jù)海外媒體報(bào)道，光刻機(jī)企業(yè)ASML發(fā)布了2022年季度的財(cái)報(bào)，根據(jù)財(cái)報(bào)顯示ASML在2022年最初的三個(gè)月時(shí)間里凈銷(xiāo)售額為35億歐元，約合242.9億人民幣。據(jù)了解，ASML在2022年季度共銷(xiāo)售了62部光刻機(jī)，ASML總裁兼CEOPeterWennink稱(chēng)：市場(chǎng)對(duì)其生產(chǎn)的光刻機(jī)需求超過(guò)了當(dāng)前的產(chǎn)能，ASML也在努力提高生產(chǎn)率并加快發(fā)貨，以應(yīng)對(duì)需求。預(yù)計(jì)ASML公司需要到2024年才能消化掉目前積壓的訂單。

分析師：光刻機(jī)，ASML到底“留了一手”2022/06/03: 或許對(duì)于大部分朋友來(lái)說(shuō)，對(duì)ASML的了解，只是知道ASML可以生產(chǎn)制造EUV光刻機(jī)，但是目前還無(wú)法向我們供貨，不過(guò)在DUV光刻機(jī)上，供貨還是沒(méi)有問(wèn)題的。而對(duì)于DUV光刻機(jī)，可能大家了解的就不是很多了，實(shí)際上，DUV光刻機(jī)經(jīng)過(guò)了三次比較大幅度的發(fā)展，最終沒(méi)有辦法才走向了發(fā)展EUV光刻機(jī)的道路。對(duì)于ASML來(lái)說(shuō)，當(dāng)時(shí)研發(fā)EUV光刻機(jī)，也是捏了一把汗，因?yàn)槿绻邪l(fā)失敗，ASML很有可能就失去了在光刻機(jī)市場(chǎng)的地位。雖然ASML的DUV光刻機(jī)可以出貨，但是有分析師表示，ASML到底還是”留了一手“。這里我

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