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摘要研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)氧離子注入,在4H碳化硅外延層中制備了高濃度的改性雙空位色心。在室溫下,利用1064 nm和914 nm激光分別激發(fā)實(shí)現(xiàn)了改性雙空位色心的光電離和光充電過(guò)程,演示了可逆電荷態(tài)調(diào)控。

  【儀表網(wǎng) 研發(fā)快訊】中國(guó)科大郭光燦院士團(tuán)隊(duì)在碳化硅改性雙空位色心電荷態(tài)調(diào)控的研究中取得了新進(jìn)展。該團(tuán)隊(duì)的李傳鋒、許金時(shí)等研究人員與泰國(guó)朱拉隆功大學(xué)的Wiwittawin Sukmas、Pranut Potiyaraj等人合作,成功實(shí)現(xiàn)了碳化硅改性雙空位色心的可逆電荷態(tài)調(diào)控,并證實(shí)了改性雙空位色心電離過(guò)程的自旋依賴性。這一成果為發(fā)展基于自旋—電荷態(tài)轉(zhuǎn)換和光電流探測(cè)的碳化硅自旋量子比特讀出技術(shù)奠定了重要基礎(chǔ)。2月12日,相關(guān)成果以“Charge-State Control of Modified Divacancies in Silicon Carbide”為題在線發(fā)表在國(guó)際知名期刊《Nano Letters》上。
 
  固態(tài)自旋色心是量子信息處理領(lǐng)域的重要平臺(tái),廣泛應(yīng)用于單光子源和自旋量子比特的研究。在這些應(yīng)用中,色心電荷態(tài)的調(diào)控具有至關(guān)重要的作用。色心電荷態(tài)的轉(zhuǎn)變可能會(huì)導(dǎo)致熒光淬滅現(xiàn)象,影響光子發(fā)射的穩(wěn)定性;而通過(guò)將容易退相干的自旋態(tài)投影到更為穩(wěn)健的電荷態(tài)中,則有望實(shí)現(xiàn)固態(tài)色心自旋的單發(fā)讀取。碳化硅中含有多種自旋色心。研究發(fā)現(xiàn),對(duì)于傳統(tǒng)的雙空位色心,其電荷態(tài)可以在976 nm光的照射下,由中性電荷態(tài)(VV0)轉(zhuǎn)變?yōu)閹ж?fù)電的電荷態(tài)(VV-)。此外,碳化硅中還存在一類改性雙空位色心,雖然其具體原子結(jié)構(gòu)尚未完全明確,但研究團(tuán)隊(duì)前期的研究表明,這些改性雙空位色心在室溫下具有優(yōu)良的熒光性質(zhì)和自旋讀出對(duì)比度,是量子信息處理的理想載體[Natl. Sci. Rev. 9, nwab122 (2022)]。盡管如此,至今尚未觀察到改性雙空位在非共振激發(fā)下的電荷態(tài)轉(zhuǎn)換。
 
  為此,研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)氧離子注入,在4H碳化硅外延層中制備了高濃度的改性雙空位色心。在室溫下,利用1064 nm和914 nm激光分別激發(fā)實(shí)現(xiàn)了改性雙空位色心的光電離和光充電過(guò)程,演示了可逆電荷態(tài)調(diào)控。通過(guò)測(cè)量不同激發(fā)光功率下的光電離和光充電曲線,研究人員得到光電離速率和光充電速率隨光功率變化的線性關(guān)系(如圖a和b所示),并提出了由載流子陷阱介導(dǎo)的改性雙空位電荷態(tài)轉(zhuǎn)換模型,為理解該過(guò)程提供了新的視角。
 
  此外,研究團(tuán)隊(duì)還證實(shí)了改性雙空位色心電離過(guò)程中的自旋依賴性。研究表明,改性雙空位色心對(duì)于導(dǎo)帶電子的俘獲概率受到自身自旋態(tài)的影響。通過(guò)施加微波脈沖,將改性雙空位色心置于不同的自旋態(tài)上,并分別測(cè)量電離過(guò)程中的熒光強(qiáng)度衰減,實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了電離過(guò)程的自旋依賴性(如圖c和d所示)。
 
  實(shí)驗(yàn)結(jié)果圖。a)光電離速率隨1064 nm光功率變化的實(shí)驗(yàn)曲線;b)光充電速率隨914 nm光功率變化的實(shí)驗(yàn)曲線;c)改性雙空位PL6色心在電離過(guò)程中的熒光強(qiáng)度相對(duì)衰減隨微波脈沖長(zhǎng)度變化的曲線;d)改性雙空位PL6色心在電離后的熒光強(qiáng)度隨微波脈沖長(zhǎng)度變化的曲線。
 
  本成果首次實(shí)現(xiàn)了碳化硅改性雙空位色心在非共振激發(fā)下的電荷態(tài)調(diào)控,且證實(shí)了電離過(guò)程的自旋依賴性,為未來(lái)實(shí)現(xiàn)碳化硅自旋量子比特的可擴(kuò)展、可集成電學(xué)界面提供了重要依據(jù)。
 
  論文第一作者為量子網(wǎng)絡(luò)安徽省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室博士后林吳曦,研究得到了國(guó)家科技重大專項(xiàng)、國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)、中國(guó)博士后科學(xué)基金以及中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)的資助。
 
  (量子網(wǎng)絡(luò)安徽省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、物理學(xué)院、中國(guó)科學(xué)院量子信息與量子科技創(chuàng)新研究院、科研部)

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