詳細(xì)摘要： 半導(dǎo)體特性測試儀可測試2KV,100A以內(nèi)的IGBT,MOSFET,Diode,三極管等半導(dǎo)體器件的直流參數(shù)，如漏電、閾值、擊穿、壓降、截止等。測試參數(shù)的同時(shí)還...
產(chǎn)品型號(hào)：LADCT2000所在地：西安市更新時(shí)間：2026-07-28 在線留言
西安天光測控技術(shù)有限公司
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詳細(xì)摘要： 半導(dǎo)體特性測試儀可測試2KV,100A以內(nèi)的IGBT,MOSFET,Diode,三極管等半導(dǎo)體器件的直流參數(shù)，如漏電、閾值、擊穿、壓降、截止等。測試參數(shù)的同時(shí)還...
產(chǎn)品型號(hào)：LADCT2000所在地：西安市更新時(shí)間：2026-07-28 在線留言
詳細(xì)摘要： ST-DC2000_X半導(dǎo)體管特性圖示儀顯示半導(dǎo)體器件的各種特性曲線；測量半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù)；能在不損壞器件的情況下，測量半導(dǎo)體器件的極限參數(shù)；晶體管雙簇顯示...
產(chǎn)品型號(hào)：LADCT2000所在地：西安市更新時(shí)間：2026-07-28 在線留言
詳細(xì)摘要： IGBT,MOSFET,DIODE,高溫柵偏測試設(shè)備可測試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-HTGB_X所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 大功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)可測試 19大類27分類 大中小功率的 分立器件及模塊的 靜態(tài)直流參數(shù)（測試范圍包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs / DIOD...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DC2548所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 軌道級(jí)IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)測試儀用于測試軌道機(jī)車變流器IGBT模塊 Diode模塊的動(dòng)態(tài)交流參數(shù)7500V/5000A，短路電流8000A
產(chǎn)品型號(hào)：ST-AC7550_R2TQDS所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 分立器件測試儀MOSFET動(dòng)態(tài)參數(shù)測試用于測試器件級(jí)的Diode,IGBT,MOSFET動(dòng)態(tài)交流參數(shù)1200V/100A，短路電流2500A替代ITC57300...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-AC1200_X所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 生產(chǎn)線大功率IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)ST-（Semiconductor Test）DC（Direct current）1520（1500V2000A）FAT...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DC1520_FATL所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 達(dá)林頓陣列參數(shù)測試儀可測試 19大類27分類 大中小功率的 分立器件及模塊的 靜態(tài)直流參數(shù)（測試范圍包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/DIODEs...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DC2000_DARLINTON所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 壓變電阻測試儀可測試 19大類27分類 大中小功率的 分立器件及模塊的 靜態(tài)直流參數(shù)（測試范圍包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/DIODEs/MO...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DC2000_R所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 美國 ITC替代品 大功率IGBT靜態(tài)測試系統(tǒng)系統(tǒng)適合工廠、研究所用做IGBT及其模塊的篩選、檢驗(yàn)、分析以及器件生產(chǎn)廠用做生產(chǎn)測試，是一款針對(duì)IGBT的各種靜態(tài)...
產(chǎn)品型號(hào)：ENJ3020所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 萊姆IGBT測試系統(tǒng)替代品天光測控IGBT測試儀適合工廠、研究所用做IGBT及其模塊的篩選、檢驗(yàn)、分析以及器件生產(chǎn)廠用做生產(chǎn)測試，是一款針對(duì)IGBT的各種靜態(tài)參...
產(chǎn)品型號(hào)：ENJ3020所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 天光測控可測量的MOSFET動(dòng)態(tài)參數(shù)測試儀用于MOSFET&IGBT柵極電荷門極電荷Qg參數(shù)測試閾值電荷 Qg（th） 1nC~5000nC（支持 0.1nC ...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DP_Q（1200V100A）所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 半導(dǎo)體檢測瞬態(tài)熱阻抗測試儀可測試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的熱...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-Thermal_Zth（ja/jc）所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 替代ITC57300的IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)用于測試 Diode, IGBTs,MOSFETs等分立器件動(dòng)態(tài)交流參數(shù)測試1500V/600A，短路電流2500...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DP_X（1500V600A）所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 雪崩能量測試儀itc55100替代產(chǎn)品Si/SiC/GaN 材料的 DIODE、MOSFET、IGBT雪崩能量測試儀單脈沖雪崩能量 EAS 1uJ~5000mJ...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DP_U（1200V200A）所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線留言
詳細(xì)摘要： ?品牌：天光測控晶體管熱阻測試系統(tǒng)?型號(hào)：ST-Thermal-Rth?測量范圍：4000A/9V?測量精度：±0.1%set+0.4%FS?測試對(duì)象：IGBT...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-Thermal-Rth所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 天光測控IGBT開關(guān)特性測試儀ST-DP_X（1200V200A 用于 Si/SiC/GaN 材料的 MOSFET&IGBT開關(guān)時(shí)間參數(shù)測試，1200V/200...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DP_X（1200V200A）所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 測試參數(shù): 二極管、三極管、MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體分立器件的柵電阻Rg、輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反饋電容Crss.測量量程: 100 mΩ~...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線留言
詳細(xì)摘要： ?用于 Si , SiC , GaN , 材料的器件級(jí)和模塊級(jí)的IGBT , MOS-FET的正向偏置安全工作區(qū)測試?FBSOA和對(duì)應(yīng)的IV曲線?ICE電流0~...
產(chǎn)品型號(hào)：FBSOA1000所在地：咸陽市更新時(shí)間：2023-11-10 在線留言
詳細(xì)摘要： ST-HTXB_X功率器件環(huán)境老化試驗(yàn)臺(tái)可測試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCR...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-HTXB_X所在地：西安市更新時(shí)間：2023-09-13 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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