詳細(xì)摘要： 壓變電阻測(cè)試儀可測(cè)試 19大類27分類 大中小功率的 分立器件及模塊的 靜態(tài)直流參數(shù)（測(cè)試范圍包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/DIODEs/MO...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DC2000_R所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線留言
西安天光測(cè)控技術(shù)有限公司
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詳細(xì)摘要： 壓變電阻測(cè)試儀可測(cè)試 19大類27分類 大中小功率的 分立器件及模塊的 靜態(tài)直流參數(shù)（測(cè)試范圍包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/DIODEs/MO...
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詳細(xì)摘要： 美國(guó) ITC替代品 大功率IGBT靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)適合工廠、研究所用做IGBT及其模塊的篩選、檢驗(yàn)、分析以及器件生產(chǎn)廠用做生產(chǎn)測(cè)試，是一款針對(duì)IGBT的各種靜態(tài)...
產(chǎn)品型號(hào)：ENJ3020所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 萊姆IGBT測(cè)試系統(tǒng)替代品天光測(cè)控IGBT測(cè)試儀適合工廠、研究所用做IGBT及其模塊的篩選、檢驗(yàn)、分析以及器件生產(chǎn)廠用做生產(chǎn)測(cè)試，是一款針對(duì)IGBT的各種靜態(tài)參...
產(chǎn)品型號(hào)：ENJ3020所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 天光測(cè)控可測(cè)量的MOSFET動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀用于MOSFET&IGBT柵極電荷門極電荷Qg參數(shù)測(cè)試閾值電荷 Qg（th） 1nC~5000nC（支持 0.1nC ...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DP_Q（1200V100A）所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 半導(dǎo)體檢測(cè)瞬態(tài)熱阻抗測(cè)試儀可測(cè)試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的熱...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-Thermal_Zth（ja/jc）所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 替代ITC57300的IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)用于測(cè)試 Diode, IGBTs,MOSFETs等分立器件動(dòng)態(tài)交流參數(shù)測(cè)試1500V/600A，短路電流2500...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DP_X（1500V600A）所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 雪崩能量測(cè)試儀itc55100替代產(chǎn)品Si/SiC/GaN 材料的 DIODE、MOSFET、IGBT雪崩能量測(cè)試儀單脈沖雪崩能量 EAS 1uJ~5000mJ...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DP_U（1200V200A）所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線留言
詳細(xì)摘要： 天光測(cè)控IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試儀ST-DP_X（1200V200A 用于 Si/SiC/GaN 材料的 MOSFET&IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)測(cè)試，1200V/200...
產(chǎn)品型號(hào)：ST-DP_X（1200V200A）所在地：西安市更新時(shí)間：2023-11-10 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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