三極管是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊  半導體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。

    設計電路中常常會關注的參數(shù)有電流放大系數(shù)β、極間反向電流ICBO、ICEO、集電極最大允許電流ICM、反向擊穿電壓VEBO、VCBO、VCEO以及三極管的輸入輸出特性曲線等參數(shù)。

輸入/輸出特性 

    三極管特性曲線是反映三極管各電極電壓和電流之間相互關系的曲線，是用來描述三極管工作特性曲線，常用的特性曲線有輸入特性曲線和輸出特性曲線：輸入特性曲線表示當E極與C極之間的電壓VCE保持不變時，輸入電流（即基極電流IB）和輸入電壓（即基極與發(fā)射極間電壓VBE）之間的關系曲線；當VCE=0時，  相當于集電極與發(fā)射極短路，即發(fā)射結與集電結并聯(lián)。  因此，輸入特性曲線與PN結的伏安特性類似，呈指數(shù)   關系。當VCE增大時，曲線將右移。對于小功率晶體管，VCE大于1V的一條輸入特性曲線可以近似VCE大于1V的所有輸入特性曲線。

三極管輸入特性曲線

     輸出特性曲線表示基極電流IB一定時，三極管輸出電壓VCE與輸出電流IC之間的關系曲線。根據(jù)輸出特性曲線，三極管的工作狀態(tài)分為三個區(qū)域。 截止區(qū)：它包括IB=0及IB<0（即IB與原方向相反）的一組工作曲線。當IB=0，IC=Iceo（稱為穿透電流），在常溫下此值很小。在此區(qū)域中，三極管的兩個PN結均  為反向偏置，即使VCE電壓較高，管子中的電流Ic卻很 小，此時的管子相當于一個開關的開路狀態(tài)。 飽和區(qū)：該區(qū)域中的電壓VCE的數(shù)值很小，VBE>VCE      集電極電流IC隨VCE的增加而很快的增大。此時三極管的兩個PN結均處于正向偏置，集電結失去了收集某區(qū)電子的能力，IC不再受IB控制。VCE對IC控制作用很大，   管子相當于一個開關的接通狀態(tài)。 放大區(qū)：此區(qū)域中三極管的發(fā)射結正向偏置，而集電極反向偏置。當VEC超過某一電壓后曲線基本上是  平直的，這是因為當集電結電壓增大后，原來流入基 極的電流絕大部分被集電極拉走，所以VCE再繼續(xù)增大時，電流IC變化很小，另外，當IB變化時，IC即按比例  的變化，也就是說，IC受IB的控制，并且IC變化比IB的變化大很多，△IC和△IB成正比，兩者之間具有線性關系，因此此區(qū)域又稱為線性區(qū)。在放大電路中，必須使用三極管工作在放大區(qū)。

三極管輸出特性曲線

     根據(jù)材料以及用途不同，三極管器件的電壓、電流技術參數(shù)也不同，針對1A以下的三極管器件，推薦2臺S系列源表搭建測試方案，最大電壓300V，最大電流1A,最小電流100pA，可以滿足小功率MOSFET測試的需求。

     針對最大電流為1A~10A的MOSFET功率器件，推    薦采用2臺P系列脈沖源表搭建測試方案，其最大電壓 300V，最大電流10A。

     針對最大電流為10A~100A的MOSFET功率器件，    推薦采用P系列脈沖源表+HCP搭建測試方案，最大電 流高達100A，最小電流低至100pA。

極間反向電流

    ICBO是指三極管發(fā)射極開路時，流過集電結的反向漏電電流；IEBO是指集電極開路時，發(fā)射極到基極的電流，測試時推薦使用一臺普賽斯S系列或P系列源表。

反向擊穿電壓 

    VEBO是指集電極開路時，發(fā)射極—基極間的反向  擊穿電壓；VCBO是指發(fā)射極開路時集電極—基極間的 反向擊穿電壓，它決定于集電結的雪崩擊穿電壓；VCEO 是指基極開路時集電極—發(fā)射級間的反向擊穿電壓，    它決定于集電結的雪崩擊穿電壓。測試時需要根據(jù)器件的擊穿電壓技術參數(shù)選擇相應的儀表，擊穿電壓在300V以下推薦使用S系列臺式    源表或P系列脈沖源表，其最大電壓300V，擊穿電壓在300V以上的器件推薦使用E系列，最大電壓3500V。

CV特性

   與MOS管一樣,三極管也通過CV測量來表征器CV特性。