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普賽斯儀表推出的更高精度、更大直流SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準確度提升至±0.03%，直流電流升級至3A，可為半導體行業(yè)提供更加精準、穩(wěn)...

普賽斯1700V/1000A功率半導體器件靜態(tài)測試設備，集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、...

普賽斯IGBT測試設備+igbt測試儀，集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導...

通常半導體分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成，過程既復雜又耗時，還占用過多測試臺的空間。實施特性參數(shù)分析的工具之一是數(shù)字源表（SMU）。普賽斯歷時多年打造了高...

通常半導體分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成，過程既復雜又耗時，還占用過多測試臺的空間。實施特性參數(shù)分析的工具之一是半導體參數(shù)測試儀之數(shù)字源表（SMU）。普賽...

半導體分立器件特性參數(shù)測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵做出的響應；通常半導體分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成，過程既復雜又耗時，還...

普賽斯半導體參數(shù)分析儀支持高電壓+大電流集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測量、3500V高壓下納安級測...

半導體分立器件主要包括二極管(Diode)、三極管(BJT)、晶閘管(SCR)、場效應晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)等產(chǎn)品,半導體分立器...

直流3A半導體參數(shù)分析儀就找普賽斯儀表，S系列源表是普賽斯歷時多年打造的高精度、大動態(tài)范圍、數(shù)字觸摸的帥先國產(chǎn)化的源表，集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，Z...

半導體特性曲線分析儀找武漢普賽斯儀表，普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測量、3500V高...

半導體器件特性曲線掃描儀認準生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，普賽斯儀表專注于半導體電性能測試領域，基于高精度數(shù)字源表綜合實驗平臺，可提供多種實驗測量環(huán)境，搭配豐富的測試...

半導體分立器件測試儀+IV曲線掃描認準武漢普賽斯儀表，普賽斯是國內(nèi)生產(chǎn)源表的廠家，產(chǎn)品系列豐富：產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍，產(chǎn)品已經(jīng)過了市場的考驗、市面有近5...

IGBT靜態(tài)參數(shù)主要包含:柵極-發(fā)射極閾值電壓VGE(th)、柵極-發(fā)射極漏電流lGEs、集電極-發(fā)射極截止電流lcEs、集電極-發(fā)射極飽和電壓VcE(sat)...

普賽斯半導體功率器件分析儀集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態(tài)參...

SiC|GaN第三代半導體靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測量單元模塊。結(jié)合專用上位機測試軟件，可根據(jù)測試項目需要，設...

功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)3500V/4000A集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達3KV,電流...

大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達3KV,電流可高達4KA。

功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統(tǒng)可...

半導體材料IV掃描儀器儀表支持四象限工作，源和負載，電壓及電流范圍廣，電流100pA~1A，電壓0.3mV~300V，準確度為0.1%；

IGBT模組動態(tài)參數(shù)測試儀器具有輸出及測量電壓高（3000V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設備工作在D一象限，輸出及測量電壓0~3000V，輸出...