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產(chǎn)地	國(guó)產(chǎn)	加工定制	否
電路測(cè)試范圍	1nA~100mA	電壓測(cè)試范圍	100mV~3500V
輸出電壓建立時(shí)間	典型時(shí)間15us

功率半導(dǎo)體測(cè)試3500V高壓脈沖電源簡(jiǎn)介

高電壓源測(cè)單元具有輸出及測(cè)量電壓高（3500V）、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)（1nA）的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限，輸出及測(cè)量電壓0~3500V，輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。

功率半導(dǎo)體測(cè)試3500V高壓脈沖電源

技術(shù)指標(biāo)

電壓性能參數(shù)：

電壓	源		測(cè)量
量程	分辨率	準(zhǔn)確度±(% rdg.+volts)	分辨率	準(zhǔn)確度±(% rdg.+volts)
100V	10mV	0.1%±40mV	10mV	0.1%±40mV
600V	60mV	0.1%±100mV	60mV	0.1%±100mV
1200V	120mV	0.1%±300mV	120mV	0.1%±300mV
1600V	160mV	0.1%±400mV	160mV	0.1%±400mV
2200V	220mV	0.1%±700mV	200mV	0.1%±700mV
3500V	350mV	0.1%±900mV	350mV	0.1%±900mV

電流性能參數(shù)：

電流	源		測(cè)量
量程	分辨率	準(zhǔn)確度±(% rdg.+volts)	分辨率	準(zhǔn)確度±(% rdg.+volts)
1uA	100pA	0.1%±1nA	100pA	0.1%±1nA
10uA	1nA	0.1%±5nA	1nA	0.1%±5nA
100uA	10nA	0.1%±50nA	10nA	0.1%±50nA
1mA	100nA	0.1%±300nA	100nA	0.1%±300nA
10mA	1uA	0.1%±5uA	1uA	0.1%±5uA
100mA	10uA	0.1%±10uA	10uA	0.1%±10uA

最大輸出功率：350W，3500V/100mA（不同型號(hào)有差異）；

輸出電壓建立時(shí)間典型值：< 5ms；

輸出接口：E100:三同軸BNC；E200、E300:KHV（三同軸）；

掃描：支持線性、對(duì)數(shù)及用戶自定義掃描；

通信接口：RS232、以太網(wǎng)；

保護(hù)：支持急停、高壓互鎖保護(hù)；

觸發(fā)：支持trig IN及trig out；

尺寸：19英寸2U機(jī)箱，深度：520mm(不包含掛耳及急停按鈕)

應(yīng)用領(lǐng)域：

用于IGBT擊穿電壓測(cè)試,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測(cè)試,壓敏電阻耐壓測(cè)試等場(chǎng)合。其恒流模式對(duì)于快速測(cè)量擊穿點(diǎn)具有重大意義。

目前，武漢普賽斯儀表有限公司的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了10pA-6000A、300mV-12KV的電壓電流范圍，并在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。特別是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半導(dǎo)體的電源及測(cè)試需求方面，我司在8000V、1000A以上量程及測(cè)試性能均處于絕對(duì)優(yōu)勢(shì)地位。更多有關(guān)功率半導(dǎo)體測(cè)試3500V高壓脈沖電源詳情找普賽斯儀表專員為您解答