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PECVD 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積

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NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達(dá)6" 基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺(tái)通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。可支持加熱和冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，真空可低至10-7 torr。標(biāo)準(zhǔn)配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個(gè)MFC。

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