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NPE-4000（ICPA）全自動ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達6“ 基片...

NPE-4000（A）全自動PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋...

NLD-4000（A）全自動原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體...

NRE-3500（A）全自動反應離子刻蝕機：自動上下栽片，PC控制的RIE反應離子刻蝕系統(tǒng)，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品，不銹鋼柜，13“頂蓋式圓柱形鋁腔...

NDR-4000（A）全自動DRIE深反應離子刻蝕：全自動上下載片，帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統(tǒng)，帶8“ ICP源。系統(tǒng)配套500L/S抽速的渦輪...

NIE-4000（A）全自動IBE離子束刻蝕：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進行物理刻蝕則是可能的...

NLD-4000（ICPA）全自動PEALD系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于...

NRE-4000（A）全自動反應離子刻蝕：獨立式RIE反應離子刻蝕系統(tǒng)，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品，不銹鋼柜子以及13“的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝...

NANO-MASTER NOC-4000進口光學鍍膜機提供*的技術，在一個腔體中實現(xiàn)原子級清洗和光學樣片拋光，然后把樣片傳送到第二級腔體中對同一樣片進行表面涂覆...

NIM-4000（M）離子銑刻蝕系統(tǒng)：利用離子束轟擊固體表面的濺射作用，剝離加工各種幾何圖形，通過大面積離子源產生的離子束，可對固體材料濺射刻蝕，對固體器件進行...

NRE-4000（ICPA）全自動ICP刻蝕系統(tǒng)：自動上下載片，帶ICP等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)可以達到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果。可實...

NRE-3000 反應離子刻蝕機：PC控制的RIE反應離子刻蝕系統(tǒng)，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品，不銹鋼柜子及13“的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔...

NMC-4000 MOVPE設備：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個鼓泡裝置（...

NLD-3500（A）全自動原子層沉積設備：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體...

NMC-3000等離子輔助MOCVD系統(tǒng)：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個鼓...

NMC-4000（A）全自動PAMOCVD系統(tǒng)：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有...

NPD-4000（A）全自動PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)：脈沖激光束聚焦在固體靶的表面上。固體表面大量吸收電磁輻射導致靶物質快速蒸發(fā)。蒸發(fā)的物質由容易逃出與電離的核素...

NSC-1000磁控濺射系統(tǒng)：帶有水冷或者加熱（可加熱到700度）功能，可達6“旋轉平臺，支持到2個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達10-7 T...

NSC-3000（A）全自動磁控濺射系統(tǒng)：臺式自動系統(tǒng)，帶有水冷或者加熱（可加熱到700度）功能，可達6“旋轉平臺，支持到3個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵...

NTE-4000（M）熱蒸發(fā)系統(tǒng)：NTE-4000是PC控制的立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機物和金屬沉積方面具有廣泛的應用。設備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復...