岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司
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所 在 地上海
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更新時間:2026-07-20 10:38:14瀏覽次數(shù):381次
聯(lián)系我時,請告知來自 儀表網(wǎng)1.應(yīng)用自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用
1. 應(yīng)用
自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用。
2. 簡介
晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級3D集成和高級封裝的一項關(guān)鍵技術(shù)。借助用于機(jī)械對準(zhǔn)SOI的EVG850LT自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)以及具有LowTemp™等離子活化的直接晶圓鍵合,融合了熔合的所有基本步驟-從清潔,等離子活化和對準(zhǔn)到預(yù)鍵合和IR檢查-。因此,經(jīng)過實踐檢驗的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)EVG850LT確保了高達(dá)300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量,高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。
3. EVG850 LT晶圓鍵合機(jī)特征
1) 利用EVG的LowTemp™等離子激 活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合
2) 適用于各種融合/分子晶圓鍵合應(yīng)用
3) 生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境中運行
4) 盒到盒的自動操作(錯誤加載,SMIF或FOUP)
5) 無污染的背面處理
6) 超音速和/或刷子清潔
7) 機(jī)械鍵合或平面對準(zhǔn)的預(yù)鍵合
8) *的遠(yuǎn)程診斷
4. 技術(shù)數(shù)據(jù)
1) 晶圓直徑(基板尺寸)
A. 100-200、150-300毫米
B. 全自動盒帶到盒帶操作
2) 預(yù)鍵合腔
A. 對準(zhǔn)類型:平面到平面或凹口到凹口
B. 對準(zhǔn)精度:X和Y:±50µm,θ:±0.1°
C. 結(jié)合力:高達(dá)5N
D. 鍵合壓力起始位置:從晶圓邊緣到中心靈活變化
E. 真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件)
3) LowTemp™等離子激 活模塊
A. 2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體:N2和O2以及2種其他工藝氣體:高純度氣體(99.999%),稀有氣體(Ar,He,Ne等)和形成氣體(N2,Ar含量蕞高為4%的氣體)2)
B. 通用質(zhì)量流量控制器:可自校準(zhǔn)多達(dá)4種工藝氣體,可進(jìn)行配方編程,流速高達(dá)20.000sccm
C. 真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件),高頻RF發(fā)生器和匹配單元
4) 清潔站
A. 清潔方法:沖洗(標(biāo)準(zhǔn)),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選)
B. 腔室:由PP或PFA制成
C. 清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),NH4OH和H2O2(蕞大)。2%濃度(可選)
D. 旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(選件)由不含金屬離子的清潔材料制成
E. 旋轉(zhuǎn):蕞高3000rpm(5s)
F. 清潔臂:蕞多5條介質(zhì)線(1個超音速系統(tǒng)使用2條線)
5) 備選功能
A. ISO3迷你環(huán)境(根據(jù)ISO14644)
B. LowTemp™等離子活化腔室
C. 紅外檢查站
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