離子源應用于離子刻蝕 IBE
上海伯東代理美國考夫曼 KRI 離子源, 其產(chǎn)品霍爾離子源 EH400 HC 成功應用于離子蝕刻 IBE.
霍爾離子源離子抨擊能量強, 蝕刻效率快, 可因應多種基材特性, 霍爾源單次使用*, 耗材成本極低, 操作簡易, 安裝簡易, 因此美國考夫曼霍爾離子源廣泛應用于蝕刻制程及基板前處理制程.

霍爾離子源客戶案例一: 某大學天文學系小尺寸刻蝕設備
系統(tǒng)功能: 對于 Fe, Se, Te ,PCCO 及多項材料刻蝕工藝.
樣品尺寸: 2英寸硅芯片.
刻蝕設備: 小型刻蝕設備. 選用上海伯東美國考夫曼品牌霍爾離子源 EH400 HC

霍爾離子源 EH400HC 安裝于刻蝕腔體內(nèi)

離子源 EH400HC 自動控制單元

霍爾離子源 EH400HC 通氬氣

對于 FeSeTe 刻蝕應用, 霍爾離子源 EH400HC 條件: 110V/1.5A, 刻蝕速率 >20 A/Sec

對于 FeSeTe 刻蝕應用, 霍爾離子源 EH400HC 條件: 110V/1.5A, 刻蝕速率 >17 Å/Sec

鑒于信息保密. 更詳細的離子源應用歡迎

霍爾離子源 EH400HC 特性:
高離子濃度, 低離子能量
離子束涵蓋面積廣
鍍膜均勻性佳
提高鍍膜品質(zhì)
模塊化設計, 保養(yǎng)快速方便
增加光學膜后折射率 (Optical index)      
全自動控制設計, 操作簡易
低耗材成本, 安裝簡易

若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 歡迎聯(lián)絡上海伯東葉小姐,分機109