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Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE 用于刻蝕硅微機(jī)械陀螺芯片
某芯片實(shí)驗(yàn)室為了解決芯片濕法刻蝕難以解決的橫向腐蝕問(wèn)題, 引進(jìn)伯東 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE 用于刻蝕硅微機(jī)械陀螺芯片.
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE 技術(shù)規(guī)格:
真空腔 | 1 set, 主體不銹鋼,水冷 |
基片尺寸 | 1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷卻, |
離子源 | ? 8cm 考夫曼離子源 KDC75 |
離子束入射角 | 0 Degree～± 90 Degree |
極限真空 | ≦1x10-4 Pa |
刻蝕性能 | 一致性: ≤±5% across 4” |
該實(shí)驗(yàn)室采用的 Hakuto 離子刻蝕機(jī) 7.5IBE 的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國(guó) 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 75
伯東美國(guó) KRI 考夫曼離子源 KDC75 技術(shù)參數(shù)：
離子源型號(hào) | 離子源 KDC 75 |
Discharge | DC 熱離子 |
離子束流 | >250 mA |
離子動(dòng)能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 7.5 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 2-15 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長(zhǎng)度 | 20.1 cm |
直徑 | 14 cm |
中和器 | 燈絲 |
* 可選: 一個(gè)陰極燈絲; 可調(diào)角度的支架
試驗(yàn)結(jié)果:
Hakuto 離子刻蝕機(jī) 7.5IBE 刻蝕出的芯片表面平整、光滑,解決了濕法刻蝕難以解決的橫向腐蝕問(wèn)題,并提高了刻蝕速率.
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