Hakuto 全自動(dòng)離子刻蝕機(jī) MEL3100 用于刻蝕薄膜磁盤

時(shí)間：2020/11/25閱讀：725

某薄膜磁盤制造采用Hakuto 全自動(dòng)離子刻蝕機(jī) MEL3100 用于刻蝕薄膜磁盤, 去除濺射鍍制磁盤薄膜的污染物和提高薄膜的均勻性.

Hakuto 全自動(dòng)離子刻蝕機(jī) MEL 3100 技術(shù)參數(shù):

Model		MEL3100	Main body
Wafer size		3"～6"	Power Supply	AC200V 3ph 40A
Wafer per batch		1 wafer	Power Supply	*two lines
Cassette	No.	25 wafers	Cooling Water	15 (l/min)
Cassette	Q'ty	1pc.	Cooling Water	<20℃
Throughput		10 (wafer/hr) *1	CDA	0.5 (MPa)
Pressure	Ultimate	8×10-5 (Pa) *2	CDA	>10 (l/min)
Pressure	Process	2×10-2 (Pa) *2	N2	0.2 (MPa)
Etching	Rate	>10 (nm/min)@SiO2 *3	N2	>40 (l/min)
Etching	Uniformity	±5%@132mm (6") *3	Ar	0.2 (MPa)
Wafer surface temp.		<100℃ *3	Ar	20 (sccm)
Stage rotating		1～20 (rpm) ±5%	He	0.2 (MPa)
Stage tilting		±90°±0.5°	He	20 (sccm)
Dimension W×D×H (mm)	Main body	1,600×2,175×1,900	*need additional utilities for Dry pump
	Controller	640×610×1,900	*need additional utilities for Dry pump
	Chiller	555×515×1,025
Weight (kg)	Main body	1,700
	Controller	200
	Chiller	100
*1: Estimated process time 5min
*2: No wafer on stege / process chamber
*3: Depending on process

Hakuto 全自動(dòng)離子刻蝕機(jī) MEL 3100 產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

1. 所有流程全自動(dòng)減少人工操作, 從而保證了產(chǎn)品的無(wú)差錯(cuò)、高穩(wěn)定性和高質(zhì)量

2. 盒式房間采用高效微粒過(guò)濾器

3. 采用高質(zhì)量的蝕刻考夫曼離子源, 保證良好的均勻性和高蝕刻率

4. 占用空間小

5. 傳輸系統(tǒng)采用了 SCARA 型機(jī)器人

6. 控制單元系統(tǒng)提供操作通過(guò)觸摸屏/ 10.4英寸, 數(shù)據(jù)記錄可以顯示在屏幕上

7. 高冷卻效果

8. 良好的重復(fù)性和再現(xiàn)性的旋轉(zhuǎn)和傾斜階段具有良好的可重復(fù)性利用脈沖電動(dòng)機(jī)

9. 容易維護(hù)這個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)重點(diǎn)是容易維護(hù)和用戶友好

10. 關(guān)鍵部件服務(wù)伯東的經(jīng)銷商是系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件渦輪泵系統(tǒng)、離子源提供客戶快速響應(yīng)時(shí)間和本地服務(wù)能力,減少停機(jī)時(shí)間的工具

該 Hakuto 全自動(dòng)離子刻蝕機(jī) MEL3100的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國(guó)考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP 380

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)參數(shù)：

運(yùn)行結(jié)果:

1. 有效去除濺射沉積時(shí)帶來(lái)的污染物

2. 提高了薄膜磁盤的均勻度

3. 獲得具有高矯頑力、高剩磁、高穩(wěn)定性的連續(xù)薄膜型的記錄介質(zhì)

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