較的成像、分析和 TEM 樣品制備用 DualBeam 平臺(tái)，用于半導(dǎo)體失效分析、工藝開發(fā)和工藝控制實(shí)驗(yàn)室。

Helios G4 HX DualBeam 結(jié)合了業(yè)界、分辨率較高、對(duì)比度較高的 Elstar + UC SEM 與的 Phoenix FIB，可實(shí)現(xiàn)的成像和銑削性能。Helios G4 HX DualBeam 專為高通量、高質(zhì)量、超薄 TEM 片晶制備而設(shè)計(jì)，配備了 FEI EasyLift EX 納米機(jī)械手和新型自動(dòng) QuickFlip 穿梭器，用于精確、準(zhǔn)確、可重復(fù)的原位樣品提升和操作。當(dāng)與 FEI iFast Starter Recipes 結(jié)合用于自動(dòng)化 TEM 樣品制備時(shí)，即使是新手操作員也能夠自信地重復(fù)創(chuàng)建高質(zhì)量、超薄的片晶。

Helios G4 HX DualBeam 旨在應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體失效分析實(shí)驗(yàn)室的挑戰(zhàn)。FEI Cell Navigator 使用自動(dòng)樣本導(dǎo)航準(zhǔn)確定位重復(fù)結(jié)構(gòu)中的缺陷。這將使找到預(yù)期目標(biāo)區(qū)域的成功率提高 5% 以上。此外，由 FEI EasyLift EX 納米機(jī)械手、新型 自動(dòng) QuickFlip 穿梭器和自動(dòng)化軟件平臺(tái) iFAST 實(shí)現(xiàn)的具有權(quán)的倒置 TEM 樣品制備方法，在業(yè)界提供了較高的通量。

橫截面成像

UC 單色儀技術(shù)的創(chuàng)新 Elstar 電子鏡筒為系統(tǒng)的高分辨率成像能力提供了基礎(chǔ)。這轉(zhuǎn)化為工作距離下 0.6 nm 和雙光束重合下 0.8 nm 的不受影響的 SEM 分辨率。高分辨率、低損傷電子束成像對(duì)于識(shí)別塊狀樣品內(nèi)的缺陷或結(jié)構(gòu)問題以及指向超薄 TEM 片晶至關(guān)重要。在非常低的著陸能量下操作，對(duì)于盡可能降低光束對(duì)敏感材料（如低 k 介電或光刻膠）的損傷也至關(guān)重要。