摘要 簡要描述： ITC57300動(dòng)態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng);可在絕緣柵雙晶體管（IGBT），功率MOSFET，二管和其他雙器件之類的半導(dǎo)體器件上執(zhí)行無損瞬態(tài)測量.

摘要 簡要描述： Keysight B1505A功率器件分析儀;Keysight B1505A 功率器件分析儀 曲線追蹤儀是能夠?qū)?sub-pA 電平至 10 kV 和 1500 A 的高功率器件進(jìn)行表征的綜合解決方案。

摘要 簡要描述： Keithley 4200A-SCS半導(dǎo)體測試儀系統(tǒng)；使用4200A-SCS 加快半導(dǎo)體設(shè)備、材料和工藝開發(fā)的探索、可靠性和故障分析研究。 業(yè)內(nèi)先性能參數(shù)分析儀，提供同步電流-電壓 (I-V)、電容-電壓 (C-V) 和超快脈沖 I-V 測量。

摘要 簡要描述： Keithley 2600系列半導(dǎo)體測試系統(tǒng)；開發(fā)和使用 MOSFET、IGBT、二管和其他大功率器件，需要全面的器件檢定，如擊穿電壓、通態(tài)電流和電容測量。

摘要 武漢普賽斯是國內(nèi)Z早生產(chǎn)源表的廠家，產(chǎn)品系列豐富：產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍，產(chǎn)已經(jīng)過了市場的考驗(yàn)、市面有近500臺(tái)源表在使用，市場率高；電流源表微電流測試認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表

摘要 產(chǎn)品簡述：EDS 30V是一款較*的智能型靜電放電發(fā)生器，輸出電壓30kV,也是中國自主研發(fā)生產(chǎn)，集放電槍頭和觸摸屏控制于一體的靜電放電模擬器

摘要 產(chǎn)品簡述：精密阻抗分析儀,EDS 20H是一款手持式靜電放電發(fā)生器，也是一款自主研發(fā)生產(chǎn)的手持式靜電放電發(fā)生器。

摘要 產(chǎn)品簡述：EDS 30T是一款較*的智能型靜電放電測試儀，輸出電壓30 kV,也是中國自主研發(fā)生產(chǎn)，集放電槍頭和觸摸屏控制于一體的靜電放電測試儀

摘要 產(chǎn)品簡述：EDS 16H是一款較*的手持式靜電放電發(fā)生器，也是中國自主研發(fā)生產(chǎn)的手持式靜電放電模擬器。依照 EN/IEC 61000-4-2 等要求精確地模擬靜電放電脈沖干擾，根據(jù)人體工程學(xué)設(shè)計(jì)，無額外的機(jī)箱，可用電池和電源適配器供電。

摘要 TH2840B精密LCR數(shù)字電橋設(shè)計(jì)頻率從20Hz-2GHz，得益于采用了10.1寸、分辨率達(dá)1280*800的電容式觸摸屏，TH2840系列LCR數(shù)字電橋采用了四參數(shù)顯示、所有設(shè)置、監(jiān)視、分選參數(shù)、狀態(tài)等可以在同一屏顯示，避免了頻繁切換的繁瑣操作。

摘要高頻型TH2840A 精密LCR數(shù)字電橋設(shè)計(jì)頻率從20Hz-500kHz，彌補(bǔ)了500kHz頻率范圍內(nèi)缺乏高性能電橋的缺點(diǎn)。得益于采用了10.1寸、分辨率達(dá)1280*800的電容式觸摸屏，TH2840系列LCR數(shù)字電橋采用了四參數(shù)顯示、所有設(shè)置、監(jiān)視、分選參數(shù)、狀態(tài)等...

摘要TH2838精密LCR數(shù)字電橋采用當(dāng)前自動(dòng)平衡電橋原理研制成功的新一代阻抗測試儀器，其0.05%的基本精度、最快達(dá)5.6ms的測試速度、20Hz-2MHz的頻率范圍及高達(dá)1GΩ的阻抗測試范圍可以滿足元件與材料的測量要求，特別有利于低損耗(D)電容器和高品質(zhì)因數(shù)(Q)電...

摘要 普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測量、3500V高壓下納安級(jí)測量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富；高精度源表I-V曲線掃描儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表

摘要普賽斯儀表推出的大功率LED管LIV測試電源具備CW及QCW輸出能力，單設(shè)備CW輸出電流可高達(dá)60A，輸出電壓可高達(dá)100V，可廣泛應(yīng)用于大功率LED的LIV測試及老化、大功率半導(dǎo)體激光器的LIV測試及老化、肖特基二極管測試、整流橋堆測試等。設(shè)備支持多臺(tái)并聯(lián)來實(shí)現(xiàn)更大...

摘要 iSpecHyper-Mini-Pro是萊森光學(xué)一款采用芯片鍍膜漸變薄膜濾光片來實(shí)現(xiàn)分光的成像高光譜相機(jī)系統(tǒng)。是一款將不同波段的漸變薄膜鑲鍍在探測器上（CMOS/CCD/InGaAs面陣探測器等），通過對(duì)目標(biāo)成像，可同時(shí)快速獲取光譜和影像信息的無損檢測分析儀器。

摘要 高光譜成像技術(shù)常見的有光柵分光、聲光可調(diào)濾波分光、棱鏡分光、芯片鍍膜等。萊森光學(xué)iSpecHyper-Mini研發(fā)了一種新型的馬賽克鍍膜快照式高光譜成像技術(shù)，該技術(shù)可以通過在探測器的像元上鍍上不同波段濾波膜實(shí)現(xiàn)高光譜成像。

摘要 針對(duì)千瓦級(jí)大功率半導(dǎo)體激光器，普賽斯推出國產(chǎn)化極優(yōu)性價(jià)比大功率激光器老化測試系統(tǒng)解決方案.設(shè)備可擴(kuò)展至4層結(jié)構(gòu)，每層設(shè)計(jì)若干路，每路支持1-16只激光器芯片的串聯(lián)老化。大功率激光器壽命測試設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表

摘要 圖片簡介這款功能*的儀器能將兩個(gè)50MHz鎖相環(huán)與兩個(gè)獨(dú)立50MHz鎖相放大器整合到一起

摘要 普賽斯儀表基于國產(chǎn)化高精度數(shù)字源表（SMU）的測試方案，以更優(yōu)的測試能力、更準(zhǔn)確的測量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測試能力，聯(lián)合更多行業(yè)客戶，共同助力我國第三代半導(dǎo)體行業(yè)高可靠高質(zhì)量發(fā)展。寬禁帶器件測試高電流大電壓電源認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表

摘要普賽斯功率半導(dǎo)體行業(yè)測試設(shè)備，集多種測量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測量、納安級(jí)電流測量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容，...

摘要普賽斯歷時(shí)多年打造的高精度、大動(dòng)態(tài)范圍、S先國產(chǎn)化的源表系列產(chǎn)品，集電壓、電流的輸入輸出及測量等功能于一體?？勺鳛楠?dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表，還可用作精密電子負(fù)載。其高性能架構(gòu)還允許將其用作脈沖發(fā)生器，波形發(fā)生器和自動(dòng)電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng)...

摘要 GaN HEMT器件性能的評(píng)估，一般包含靜態(tài)參數(shù)測試（I-V測試）、頻率特性（小信號(hào)S參數(shù)測試）、功率特性（Load-Pull測試），寬禁帶材料測試源表就找普賽斯儀表

摘要IGBT靜態(tài)參數(shù)主要包含:柵極-發(fā)射極閾值電壓VGE(th)、柵極-發(fā)射極漏電流lGEs、集電極-發(fā)射極截止電流lcEs、集電極-發(fā)射極飽和電壓VcE(sat)、續(xù)流二極管壓降VF、輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crsso;高電壓+大電流IGBT測試...

摘要 產(chǎn)品簡介：產(chǎn)品簡述————————————————————————————————————···

摘要 產(chǎn)品簡介：進(jìn)口LED燈珠，能量高、光照強(qiáng)、使用壽命長等優(yōu)勢

摘要 產(chǎn)品簡介：進(jìn)口LED燈珠 能量高、光照強(qiáng)、使用壽命長等優(yōu)勢

摘要 產(chǎn)品簡介：UVLED線光源選用進(jìn)口LED燈珠 能量高、光照強(qiáng)、使用壽命長等優(yōu)勢

摘要 產(chǎn)品簡介：UVLED線光源選用進(jìn)口LED燈珠 能量高、光照強(qiáng)、使用壽命長等優(yōu)勢

摘要 產(chǎn)品簡介：UVLED線光源選用進(jìn)口LED燈珠 能量高、光照強(qiáng)、使用壽命長等優(yōu)勢

摘要 產(chǎn)品簡介：UVLED線光源選用進(jìn)口LED燈珠 能量高、光照強(qiáng)、使用壽命長等優(yōu)勢

摘要 產(chǎn)品簡介：UVLED線光源選用進(jìn)口LED燈珠 能量高、光照強(qiáng)、使用壽命長等優(yōu)勢

摘要 針對(duì)千瓦級(jí)大功率半導(dǎo)體激光器，普賽斯推出國產(chǎn)化極優(yōu)性價(jià)比大功率激光器老化測試系統(tǒng)解決方案.設(shè)備可擴(kuò)展至4層結(jié)構(gòu)，每層設(shè)計(jì)若干路，每路支持1-16只激光器芯片的串聯(lián)老化。大功率半導(dǎo)體激光器芯片測試設(shè)備老化系統(tǒng)認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表

摘要 武漢普賽斯是國內(nèi)生產(chǎn)源表的廠家，產(chǎn)品系列豐富：產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍，產(chǎn)已經(jīng)過了市場的考驗(yàn)、市面有近500臺(tái)源表在使用；精密源表+高精度數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表

摘要 憶阻器件的評(píng)估,一般包括直流特性、脈沖特性與交流特性測試,分析器件在相應(yīng)的直流、脈沖與交流作用下的憶阻特性,以及針對(duì)憶阻器件的保持力、穩(wěn)定性等非電學(xué)特性進(jìn)行測量。電阻測量儀表憶阻器測試脈沖源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表

摘要 普賽斯第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，集多種測量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測量、納安級(jí)電流測量能力等特點(diǎn)

摘要 晶化快速退火爐 嘉儀通 半導(dǎo)體退火設(shè)備，采用紅外輻射加熱技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)1吋(選配2吋)樣品快速升溫和降溫，同時(shí)搭配超高精度溫度控制系統(tǒng)，可達(dá)到好的溫場均勻性，對(duì)薄膜材料進(jìn)行晶化快速退火處理，提高薄膜材料的均勻性及穩(wěn)定性。

摘要 普賽斯“五合一”高精度數(shù)字源表（SMU）可為高?？蒲泄ぷ髡?、器件測試工程師及功率模塊設(shè)計(jì)工程師提供測量所需的工具。不論使用者對(duì)源表、電橋、曲線跟蹤儀、半導(dǎo)體參數(shù)分析儀或示波器是否熟悉，都能簡單而迅速地得到精確的結(jié)果，光電器件特性參數(shù)分析數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表

摘要 大電壓臺(tái)式脈沖源表具有輸出及測量電壓高（3500V）、能輸出及測量微弱電流信號(hào)（1nA）的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限，輸出及測量電壓0~3500V，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。

摘要武漢普賽斯一直專注于功率器件、射頻器件以及第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域電性能測試儀表與系統(tǒng)開發(fā),基于核心算法和系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺(tái)優(yōu)勢,帥先自主研發(fā)了高精度數(shù)字源表、脈沖式源表、脈沖大電流源、高速數(shù)據(jù)采集卡、脈沖恒壓源等儀表產(chǎn)品以及整套測試系統(tǒng)。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用在功率半導(dǎo)體材料與器件、...

摘要實(shí)時(shí)溫度監(jiān)測記錄儀 高精度實(shí)時(shí)溫壓記錄儀 半導(dǎo)體和精密電子制造廠對(duì)內(nèi)部的溫度、濕度和潔凈度等有著及其特殊的要求，其生產(chǎn)必須在高潔凈度的潔凈室中進(jìn)行的。沒有潔凈的生產(chǎn)條件，會(huì)妨礙產(chǎn)品的功能，或者會(huì)降低產(chǎn)品的使用壽命，甚至毀壞半導(dǎo)體。因此，對(duì)潔凈室進(jìn)行測試，確保其各項(xiàng)...

摘要 普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測量、3500V高壓下納安級(jí)測量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，精密直流源3A源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表

摘要普賽斯IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),集多種測量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測量IGBT功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測量、納安級(jí)電流測量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件測試設(shè)備靜...

摘要 普賽斯S系列、P系列源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集，Y秀的性價(jià)比，良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持，普賽斯儀表是手家國產(chǎn)數(shù)字源表生產(chǎn)廠家，產(chǎn)品已經(jīng)歷3年迭代*，對(duì)標(biāo)2400、2450、2611、2601B、2651、2657等；半導(dǎo)體測試iv參數(shù)用源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表

摘要 該儀器是在WLP—205型儀器上增加了壓力校正器。采用這套工具使被壓緊的粉末材料達(dá)到相同的緊密程度（任何人都可達(dá)到相同的壓緊程度），從而使測試更加簡便、而且消除了人為誤差。其它主要技術(shù)指標(biāo)與WLP—205型平均粒度測定儀相同。

摘要 該儀器是在WLP—205型儀器上增加了壓力校正器。采用這套工具使被壓緊的粉末材料達(dá)到相同的緊密程度（任何人都可達(dá)到相同的壓緊程度），從而使測試更加簡便、而且消除了人為誤差。其它主要技術(shù)指標(biāo)與WLP—205型平均粒度測定儀相同。