膜厚測(cè)量裝置UTS-2000
▼概要
膜厚測(cè)定裝置UTS-2000采用的分光分析技術(shù)，可以非接觸，非破壞高速而且高精度的測(cè)量基板膜，基板厚，雕刻殘余等的膜厚。 另外，使用標(biāo)配的自動(dòng)樣品臺(tái)可以分析電子元件內(nèi)的膜厚分布。另外，有豐富的配件，測(cè)量擴(kuò)散層之類的基板和膜界面不明朗膜厚的波長(zhǎng)擴(kuò)張組件，測(cè)量Si中雜質(zhì)輕元素含量的透過(guò)測(cè)量系統(tǒng)，分析濃度的數(shù)據(jù)解析軟件等，也可以對(duì)應(yīng)膜厚測(cè)量之外的測(cè)量。另外，可以與自動(dòng)搬送裝置組合，對(duì)應(yīng)產(chǎn)品研發(fā)到評(píng)價(jià)廣泛的需求。
◆特征
?可測(cè)量0.25～750μm的測(cè)量大范圍的膜厚（基板厚）
?采用高精度干渉計(jì)和高通量光學(xué)系統(tǒng)、可測(cè)量高準(zhǔn)確度的膜厚數(shù)據(jù)。
?測(cè)量膜厚的必須條件?映射?膜厚計(jì)算的個(gè)條件可以作為菜單登陸管理
?可長(zhǎng)波長(zhǎng)擴(kuò)張?？蓪?duì)應(yīng)除去大氣噪音的真空裝置
?可測(cè)量Si 中的雜質(zhì)輕元素、以及電子元件的透過(guò)測(cè)量
?對(duì)應(yīng)自動(dòng)搬送裝置（配件）


◆測(cè)量原理
膜厚測(cè)量裝置通過(guò)解析紅外區(qū)域的干涉光譜，非破壞?非接觸、高速而且高準(zhǔn)確度計(jì)測(cè)膜厚。 通過(guò)計(jì)測(cè)可得到膜厚的周期干涉光譜。 干涉光譜由日本分光的周波數(shù)解析法轉(zhuǎn)變?yōu)榈墓酵ㄟ^(guò)峰值高準(zhǔn)確度的算出膜厚。

◆高計(jì)測(cè)再現(xiàn)性
下圖表示硅晶膜反復(fù)計(jì)測(cè)結(jié)果。反復(fù)計(jì)測(cè)10次的值如下、±0.001μm以下、 膜厚測(cè)量裝置具有很高的計(jì)測(cè)再現(xiàn)性。

測(cè)量回?cái)?shù) 計(jì)測(cè)値 [μm] 殘差 [μm] 第1回 4.9001 -0.0013 第2回 4.9014 0.0000 第3回 4.9010 -0.0004 第4回 4.9019 0.0005 第5回 4.9015 0.0001 第6回 4.9018 0.0004 第7回 4.9011 -0.0003 第8回 4.9014 0.0000 第9回 4.9017 0.0003 第10回 4.9021 0.0007 平均値：4.9014 [μm] 標(biāo)準(zhǔn)偏差：0.0006 [μm]

◆膜厚計(jì)測(cè)程序
搭載了用戶可以簡(jiǎn)單測(cè)量的程序。(如下圖)







◆規(guī)格
▼UTS-2000

機(jī)種 UTS-2000 測(cè)量方式 FT/IR 干渉膜厚測(cè)量法 測(cè)量配置 反射、透過(guò)（選配） 樣品尺寸 20 × 20 ～ 1200 × 1200μm 顯示器 內(nèi)置CMOS相機(jī)確認(rèn)測(cè)量位置 　●測(cè)量范圍／精度 測(cè)量膜厚范圍 0.25μm～750μm（Siの場(chǎng)合） 測(cè)量膜厚再現(xiàn)性 0.005μm以下 (同一點(diǎn)繰返し測(cè)定時(shí)、Si の場(chǎng)合) 　●XY樣品臺(tái) 距離 200mm×200mm 驅(qū)動(dòng)分辨率 2μm 　●數(shù)據(jù)處理部 對(duì)應(yīng)OS Windows 7 Professional 控制裝置 JASCO光學(xué)管理器控制光學(xué)系統(tǒng)／控制XY樣品臺(tái)／控制搬送機(jī)（選配）