關鍵詞：金屬薄膜，氮化鋁、壓電薄膜、AlN、Si3N4薄膜、MEMS

              TiN薄膜，抗腐蝕硬質膜，半導體薄膜，氧化物絕緣層

型號：MP450S，  產地：歐洲 ， 應用：沉積硬質膜，半導體膜，氧化物絕緣層等。

反應磁控濺射鍍膜儀是微米納米器件制備的設備，可用于制備普通金屬薄膜，氮化鋁(AlN)壓電薄膜，Si3N4薄膜，TiN薄膜，抗腐蝕硬質膜，半導體薄膜，氧化物絕緣層等，適用于半導體，光電子學，光子學，微機電系統(tǒng)（MEMS）和微流體技術等領域。

MP450S 配置 如下：

腔體尺寸：內徑450mm、高度400mm，電解拋光不銹鋼腔體

真空系統(tǒng)：采用1000l/s分子泵（可選擇低溫泵）+30m3/h機械泵

                  配備薄膜真空計、潘寧真空計

磁控陰極：2個3英寸DC/RF磁控陰極，可傾斜35°

                  與樣品臺的距離手動可調（8-13cm）

                  每個陰極配備一個 圓柱形擋板，防止污染

                  每個陰極配備一個電氣閥

陰極電源：一個500W,800V，0.9A， 13.56MHz射頻電源（可以升級到2kW）

                 允許共濺射或順序濺射

反應氣路：3條氣路（Ar、N2,、O2），每個氣路配備MFC

                                   采用主腔體粗抽泵抽真空

                                   配帶皮拉尼真空計

控制系統(tǒng)：全自動控制，半自動和手動模式可用

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