電子束蒸發(fā)鍍膜

E-beam Evaporation

在真空環(huán)境下用聚焦電子束加熱的方式將材料加熱到蒸發(fā)，真空腔室內(nèi)的基片和襯底表面會形成薄膜或涂層，此過程被稱為真空熱蒸鍍，加熱材料的方式主要有熱舟式和坩堝式。

電子束蒸發(fā)原理圖

由于電子束轟擊的局域加熱特性，使得高熔點(diǎn)材料也可以得到有效加熱，電子束蒸發(fā)在熱蒸發(fā)的基礎(chǔ)上，可實(shí)現(xiàn)高熔點(diǎn)材料的鍍膜，例如導(dǎo)電金屬，Ti, Pt, Mo, W 等，也可以用于介質(zhì)材料的鍍膜，SiO₂, TiO₂, Al₂O₃, 還有鍵能較高的氮化物TiN，AlN 等。電子束蒸發(fā)相比于熱蒸發(fā)具有更高的靈活性和材料覆蓋能力，用戶僅需選擇蒸發(fā)工位容量和數(shù)量即可。

電子束蒸發(fā)特點(diǎn)

系統(tǒng)的自動控制采用的是石英晶振自動控制的Rate Control鍍膜機(jī)制，在整個薄膜形成過程中，蒸發(fā)速率是恒定的，在累積到目標(biāo)薄膜厚度時，系統(tǒng)會自動結(jié)束鍍膜，以實(shí)現(xiàn)厚度的精確控制。

Rate control 原理

根據(jù)客戶不同的真空度要求，我們可定制真空系統(tǒng)，其中包括高真空版本（5 × 10^-7 Torr），近超高真空版本（5 × 10^-9 Torr），以及超高真空版本（5 × 10^-10 Torr），以滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域和薄膜質(zhì)量的需求。對于基底材料的特殊要求，我們可提供不同功能的樣品臺，可實(shí)現(xiàn)加熱或者冷卻。

加熱型樣品臺

冷卻型樣品臺

多片樣品臺

樣品臺偏壓

針對金屬和介質(zhì)的Lift-off工藝，我們可提供Lift-off專用型電子束蒸發(fā)。針對超導(dǎo)領(lǐng)域的約瑟夫森結(jié)，我們可提供樣品臺傾斜設(shè)計(jì)的超高真空版本電子束蒸發(fā)。針對光學(xué)鍍膜，也可以配置離子源輔助的電子束蒸發(fā)。

Lift-off工藝特點(diǎn)

雙傾角鍍膜樣品臺-約瑟夫森結(jié)

離子源輔助電子束蒸發(fā)-光學(xué)鍍膜

應(yīng)用領(lǐng)域：

● 金屬/介質(zhì) Lift-Off 工藝

● 多層膜金屬電極

● 超導(dǎo)約瑟夫森結(jié)制備

● 光學(xué)鍍膜

應(yīng)用展示：

配置選型：

配置特點(diǎn)：

● 腔體尺寸：根據(jù)鍍膜基片尺寸、數(shù)量和鍍膜距離確定

● 極限真空優(yōu)于 3 × 10^-7 Torr（可選超高真空版本 5 × 10^-9 Torr）

● 基片臺：常規(guī)支持 8 寸并向下兼容；可定制特殊尺寸樣品夾具，支持單片鍍膜或多片同時鍍膜

● 電子槍功率 6 kW / 10 kW，坩堝數(shù)量：1/4/6，坩堝容量：7 / 15 / 25 / 40 cc

● 坩堝防污染設(shè)計(jì)

● 全自動鍍率控制石英晶振監(jiān)控

● 基片可選加熱：Max. 300℃ / 500℃ / 800℃

● 基片可選水冷或液氮冷卻

● 可配備離子束輔助沉積，用于光學(xué)薄膜制備

● 可配備快速進(jìn)樣室，可選配樣品射頻清洗/刻蝕功能

● 可與手套箱集成

● 可根據(jù)用戶要求將其它鍍膜技術(shù)與電子束蒸發(fā)集成，例如磁控濺射、熱蒸發(fā)等

● 薄膜均勻度優(yōu)于 ±3%