使用電子束照射填充了蒸鍍材料的坩堝背面，通過電子轟擊來達(dá)到加熱坩堝的目的。蒸鍍材料沒有受到電子束的直接照射。此種間接加熱方式，有以下特點：

?鍍膜時，不會因為反射電子和X射線造成傷害

?通常使用直接加熱的電子槍鍍膜時，容易產(chǎn)生飛濺的蒸鍍材料，也可以抑制飛濺，從而完成低缺陷鍍膜；

?相較于直接加熱的電子槍，蒸鍍薄膜的表面更加平滑；

?由于采用間接加熱的方式，受到電子束照射后容易分解的材料，也不會出現(xiàn)分解?成分變化的問題；

?由于蒸鍍材料不會發(fā)生分解，光學(xué)吸收也會更少；

?由于采用電子束作為間接加熱源，所以可以控制蒸鍍的速率。相較于電阻式加熱可以更加穩(wěn)定的完成蒸鍍。

電子轟擊間接加熱的原理

使用電子束照射填充了蒸鍍材料的坩堝，以間接加熱的方式加熱蒸發(fā)。

低損傷蒸鍍 -X射線，反射電子的影響

通過安裝護(hù)罩可以防止反射電子和X射線到達(dá)基板，X射線的量在通過坩堝和護(hù)罩后，會衰減到原來的10萬分之1以下。

低損傷蒸鍍 - 反射電子檢測結(jié)果 

使用加速電壓-6 kV，Emission電流100 mA照射蒸鍍材料鎢。同時通過測定基板傘架上流過的電流，來對反射電子的量來做測量。

如果使用直接照射的電子槍，反射電子可以用過電流來測量。使用BS-60310BDS并安裝護(hù)罩后，反射電子的量低于可測定的范圍，鍍膜時不會造成損傷。

低缺陷蒸鍍

直接加熱式電子槍，由于使用了水冷式坩堝，處于水冷坩堝和蒸鍍材料的接觸面部分由于溫度難以上升，會有殘留。

BS-60310BDS則是采用間接加熱的方式，坩堝的溫度更高，坩堝和蒸鍍材料接觸部分不會有殘留。

由于蒸鍍材料比較均衡的受熱，所以蒸鍍材料殘留所引起的飛濺也不會發(fā)生；并且，由于采用間接加熱的方式，蒸鍍材料的溫度不會急劇上升，也可以抑制飛濺的發(fā)生。

由于有以上特點，所以可以完成低缺陷蒸鍍。

蒸鍍MgF2時，使用直接加熱式電子槍鍍膜的話，如圖所示能確認(rèn)產(chǎn)生了6 ~ 22 μm的凸起，而使用BS-60310BDS時，沒有產(chǎn)生凸起等缺陷。

MgF2蒸鍍時飛濺的比較

光學(xué)薄膜制作實例（吸收的降低）

MgF2, YF3等氟化物材料在使用BS-60310BDS進(jìn)行蒸鍍時，紫外區(qū)間的吸收降低得到了確認(rèn)。

由于采用了電子束非直接照射的間接加熱方式，所以

?蒸氣在受到電子束干涉后的解離現(xiàn)象得到抑制。

?蒸鍍前后材料的顏色沒有變化。蒸鍍材料的分解和成分偏離得到了抑制。

MgF2的溶跡和紫外區(qū)域的光譜特性

?紫外區(qū)域吸收的降低得到確認(rèn)。

?蒸氣沒有受到電子束干涉，使得解離得到抑制。

YF3溶跡和紅外區(qū)域的光譜特性

優(yōu)秀的速率可控性

BS-60310BDS蒸鍍薄膜時，相較于電阻加熱方式，速率的控制更加容易。

通過晶振探頭在Cu蒸鍍時自動修正控制速率完成蒸鍍，可以實現(xiàn)穩(wěn)定的蒸鍍速率。

通過晶振探頭檢測控制下的Cu蒸鍍速率

可蒸鍍多種材料