光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。在紫外光等光照或輻射下，溶解度會發(fā)生變化的薄膜材料。

AZ 4562

正性厚光刻膠，具有粘附力，在普通濕法蝕刻和電鍍工藝中具有粘附力，廣泛應用于半導體行業(yè)。

AZ 5214

這種特殊的光刻膠用于需要負壁輪廓的剝離技術(shù)（lift-of工藝）。由酚醛清漆樹脂和萘醌二疊氮化物作為光敏化合物（PAC）組成的正性光致抗蝕劑，它們也可反轉(zhuǎn)成負膠，從而產(chǎn)生的掩模。

SU-8 2000系列

環(huán)氧型樹脂的負性光刻膠，SU-8 2000化學放大，i線抗蝕劑非常適合制造性器件結(jié)構(gòu)。這些負色調(diào)，環(huán)氧基抗蝕劑表現(xiàn)出優(yōu)異的耐化學性和低的楊氏模量，使其成為制造微/納米結(jié)構(gòu)的理想選擇，如懸臂，膜和微通道。

SU-8 3000系列

已被配制用于改進的粘合性和降低的涂層應力。它被用于需要高結(jié)合強度和改進的微結(jié)構(gòu)制造柔性的地方，用于微流控/MEMS微納工藝，大大提高了與基板的粘合性。

mr-NIL210

有機可光固化的NIL抗蝕劑，具有出色的干法刻蝕特性。它具有出色的固化和納米壓印性能，特別適用于使用軟印模材料（例如PDMS）的軟NIL。

mr-I T85

熱塑性NIL抵抗劑，基于非極性環(huán)烯烴共聚物（TOPAS）的T-NIL抗蝕劑（Tg = 85°C）。

SU8膠配套顯影液、去膠液、去邊膠

SU-8 Dev、Remover PG去膠、EBR-PG 去邊膠、ZX-238型正膠顯影液

AZ膠配套顯影液

AZ300MIF-薄AZ系列光刻膠的顯影液     

AZ400K-厚AZ系列光刻膠的顯影液       

電子束膠

PMMA/MMA950k 495k     50-5000nm    分辨率<10nm   粘附性好，適用于電子束光刻，多層T-Gate剝離、晶圓減??；

ma-N 2400                         0.1um-1um    分辨率50 nm    電子束和深紫外靈敏；抗干刻、濕刻性能；膠圖案良好的熱穩(wěn)定性；堿性水溶液下顯影；

紫外光刻負膠-lift-off工藝

ROL-7133      2.2-4um      分辨率4um       制作金屬電極或?qū)Ь€，倒角75-80度，粘附性好，可使用普通正膠顯影液；

SUN-1300     7-18um       分辨率4um       對比度高、分辨率高、附著性佳、易于去除；