目前,在半導(dǎo)體器件制造工藝中,特別是在用大園片投片進行研制和生產(chǎn)小、中、大規(guī)模集成電路中,用等離子去膠代替常規(guī)化學(xué)溶劑去膠及濕氧、高溫干氧去膠,已顯示出大的性。該工藝不僅操作簡單,成本低,去膠速率高,基片溫度低,表面清潔,不碎片,可節(jié)約大量的化學(xué)溶劑,消除丙酮、酸霧及廢酸帶來的環(huán)境污染,同時去膠完后,不用丙酮棉花對硅片表面拭膠。因而,可大幅度提高管芯成品率及器件可靠性。

PlasmaSTAR®系列等離子處理系統(tǒng)適合處理所有的材料。PlasmaSTAR®系統(tǒng)擁有多種腔室和電極配置，可滿足不同的等離子工藝和基片尺寸。其中較典型的等離子處理工藝包括：

? 等離子預(yù)處理

? 光刻膠去膠

? 表面處理

? 各向異性和各向同性蝕刻

? 故障分析應(yīng)用

? 材料改性

? 封裝清洗

? 鈍化層刻蝕

? 聚酰胺刻蝕

? 促進粘合

? 生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用

? 聚合反應(yīng)

? 混合清洗

? 預(yù)鍵合清洗

PlasmaSTAR®系列等離子處理系統(tǒng)設(shè)計且多樣化。其功能包括用于操作臺面上，占地面積小，或?qū)恿靼惭b，以及用于各種等離子工藝的模塊化腔室和電極配置。此外，觸摸屏計算機控制，多級程序控制和組件控制，操作簡單。

PlasmaSTAR®系列等離子處理系統(tǒng)用于研究、工藝開發(fā)和批量生產(chǎn)。 PlasmaSTAR®系統(tǒng)可輕松集成到自動化生產(chǎn)線和系統(tǒng)中。

該系統(tǒng)基于模塊化設(shè)計理念，可適應(yīng)各種PCB的尺寸。此設(shè)計適用于任何尺寸的基片。

PlasmaSTAR®系統(tǒng)提供多個電極模塊，如LF（KHz）或13.56（MHz）的射頻電源以及自動匹配網(wǎng)絡(luò)。根據(jù)不同的等離子處理工藝選擇不同的電極模塊。

基本系統(tǒng)

PlasmaSTAR®通用基本系統(tǒng)包括必需的閥門、真空泵浦、射頻電源、射頻匹配器、工藝氣體控制和系統(tǒng)控制。這些配置組合提供了一套全自動化等離子處理系統(tǒng)。通用基本系統(tǒng)可容納不同的腔室和電極模塊，這些模塊可輕松放入其中。該系統(tǒng)可快速從一款普通的圓柱形等離子體處理系統(tǒng)轉(zhuǎn)換為一款用于反應(yīng)離子刻蝕（RIE）和平面處理的水冷平板電極系統(tǒng)或是帶支架的混合等離子清洗系統(tǒng)。

腔室/電極

PlasmaSTAR®模塊化腔室和電極組件是該系統(tǒng)的功能。 腔室材料是硬質(zhì)陽極氧化鋁。 有幾種不同的電極設(shè)計，包括用于反應(yīng)離子刻蝕（RIE）和平面處理的水冷平板電極，用于表面清洗或處理的交替托盤電極，用于最小化離子損傷的下游電極，和用于普通的圓柱形等離子體處理的籠式電極。

等離子體源

該系統(tǒng)可選配LF（KHz）或13.56（MHz）射頻電源以及自動匹配網(wǎng)絡(luò)。

真空泵浦系統(tǒng)

該系統(tǒng)配機械泵或帶羅茨鼓風(fēng)機的機械泵。根據(jù)所需的真空處理水平，可提供不同尺寸大小的真空泵。真空泵配有腐蝕性泵油（惰性泵油），適用于氧氣或其他腐蝕性化學(xué)應(yīng)用。流量控制器（MFC）的氣體管路是標(biāo)配。下游壓力控制器是選配。

電腦控制

觸摸屏電腦控制，提供無線程序存儲。多步驟工藝簡單易存。實時顯示工藝條件。 該控制系統(tǒng)易于編程。 工藝處理可用條形碼讀?。ㄟx配）。

規(guī)格

PlasmaSTAR® 100的尺寸：800（寬）x 850（深）x 525（高）mm；重量：約150 Kg。

PlasmaSTAR® 200的尺寸：1,033（寬）x 850（深）x 635（高）mm；重量：約220 Kg。