原子層沉積（atomic layer deposition, ALD）是通過氣相前驅(qū)體及反應(yīng)物脈沖交替的通入反應(yīng)腔并在基底上發(fā)生表面化學(xué)反應(yīng)形成薄膜的一種方法，通過自限制性的前驅(qū)體交替飽和反應(yīng)獲得厚度、組分、形貌及結(jié)構(gòu)在納米尺度上高度可控的薄膜。該方法對基材不設(shè)限，尤其適用于具有高深寬比或復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)的基材。采用 ALD 制備的薄膜具有高致密性（無針孔）、高保形性及大面積均勻性等優(yōu)異性能，這對薄膜的使
用具有重要的實際意義。
通過原理圖可以發(fā)現(xiàn) ALD 并非一個連續(xù)的工藝過程，而是由若干半反應(yīng)序列組成。步驟一中前驅(qū)體在基底表面發(fā)生化學(xué)吸附反應(yīng)A ，步驟三中反應(yīng)物與已經(jīng)吸附了前驅(qū)體的基底繼續(xù)進(jìn)行表面化學(xué)反應(yīng) B，步驟二、四用惰性氣體把多余氣體和副產(chǎn)物帶出反應(yīng)腔。A、B 兩個半反應(yīng)具有自限制和互補(bǔ)性特點，四個步驟依次循環(huán)決定了薄膜的厚度。
不同于傳統(tǒng)的化學(xué)氣相沉積，ALD 具有表面自限制的特點，因此在眾多薄膜制備技術(shù)中脫穎而出，展示出較為樹一幟的優(yōu)勢！
? 通過調(diào)節(jié)反應(yīng)循環(huán)次數(shù)精確控制薄膜厚度，形成原子級厚度的薄膜
? 薄膜沉積溫度友好，RT ~ 400℃
? 可廣泛適用于各種形狀的襯底，在高深寬比結(jié)構(gòu)及其他復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)中可也生成保形性較為好的薄膜
? 前驅(qū)體或反應(yīng)物是飽和的化學(xué)吸附，能保證生成大面積均勻性的薄膜
? 基于自限制特性，ALD 過程不需要控制前驅(qū)體或反應(yīng)物流量的均一性
? 薄膜光滑、致密、無針孔
? 適合界面修飾和制備多組元納米疊層結(jié)構(gòu)
? 具備規(guī)?；a(chǎn)能力
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