關(guān)鍵參數(shù)特征

• 功能的SEM電子光學(xué)系統(tǒng)，采用高亮度的Schottky發(fā)射器為電子源，具有束流大，噪點(diǎn)低，非凡的成像能力等特點(diǎn)
• In-Beam探測器能夠確保在極小的工作距離下仍能收集信號(hào)，進(jìn)行高品質(zhì)成像
• 采用Xe等離子體源的超快速FIB系統(tǒng)。 束流大，具有驚人的離子束切割速度，因此在切除大體積塊狀材料時(shí)卓有成效；
• 同時(shí)較低的離子束流便于完成樣品表面拋光
• 電子束減速技術(shù)（BDT）助力于進(jìn)行超低著陸電壓下的成像
• 隔離材料的植入、摻雜或降解更少，這點(diǎn)對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)相當(dāng)重要
• SEM與 FIB兩系統(tǒng)互補(bǔ)，即使用FIB進(jìn)行樣品切割或沉積時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行SEM成像拍照
• TESCAN電鏡的各種自動(dòng)化操作技術(shù)，如In-Flight Beam TracingTM技術(shù)可通過計(jì)算精確的調(diào)節(jié)高分辨率成像所需的參數(shù)設(shè)置
• （例如工作距離WD、放大倍率等）
• DrawBeam 軟件模塊是一個(gè)便于進(jìn)行圖案設(shè)計(jì)的工具，3D功能亦很，使用它可在FIB切割或粒子束蝕刻等過程可實(shí)時(shí)獲取圖像
• 為3D EDX及3D EBSD等三維顯微分析技術(shù)帶來全新的解決方案
• 集成了飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜（TOF-SIMS）與 掃描探針顯微技術(shù)，可擴(kuò)展的大樣品室，使用戶能夠進(jìn)行6’’、8’’ and 12’’ 的晶片光刻檢驗(yàn)，
• 12’’ 晶片光刻檢驗(yàn)是TESCAN電鏡的技術(shù)能力
• 氣體注入系統(tǒng) (GIS) 有助于使FIB完成更多應(yīng)用
• 高性能的電子成像能力，其成像速率可高達(dá)20 ns/pxl, 同時(shí)具備出色的沉積速率及超快的掃描速度
• 渦輪分子泵及前級(jí)泵的高效能有利于保持樣品室的清潔度；電子槍通過離子吸氣泵獲得真空