1、產(chǎn)品型號(hào)及名稱：IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

3、VGE可達(dá)±100V；開啟電壓VGETH支持兩種測(cè)試方法；

5、設(shè)備支持SI基，SIC材料的MOS管，IGBT單管及模塊，二極管測(cè)試，晶閘管測(cè)試，

7、支持單點(diǎn)測(cè)試，I-V曲線掃描，還具有曲線對(duì)比功能；

9、安全性，防爆，防觸電，防燙傷，短路保護(hù)等多重保護(hù)措施，確保操作人員、設(shè)備、數(shù)據(jù)及樣品安全。

測(cè)試參數(shù)：

IGESF 正向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

VGEON 通態(tài)柵極電壓

整個(gè)測(cè)試過程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測(cè)試曲線，方便操作使用

基礎(chǔ)能力：

2) 測(cè)試電流范圍：0-±1600A

4) 電壓分辨率：0.1mV

（1）Diode（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）

（2）MOSFET（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）

（3）IGBT單管及模塊（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）

<p helvetica="" neue",="" helvetica,="" arial,="" tahoma,="" "microsoft="" yahei",="" "pingfang="" sc",="" "hiragino="" sans="" gb",="" "heiti="" "wenquanyi="" micro="" hei",="" sans-serif;="" outline:="" none;="" background-color:="" rgb(255,="" 255,="" 255);="" line-height:="" 2em;"="" style="box-sizing: border-box; -webkit-tap-highlight-color: rgba(0, 0, 0, 0); appearance: none; margin: 0px; padding: 0px; border-width: medium; border-style: none; border-color: currentcolor; border-image: initial; color: rgb(51, 51, 51);">靜態(tài)參數(shù)：BVCES/集射極擊穿電壓，VGE(th)/柵極開啟電壓 、ICES/集射極漏電流、VF/二極管正向壓降；VCESAT/飽和壓降，IGESR,IGESF 柵極漏電流